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기재; 및 상기 기재 상에 형성되고, 산화 바나듐 클러스터를 포함하는 열변색층을 포함하며, 400 내지 800 nm 영역에서 투과도의 최대값이 50% 이상인 광학 적층체를 제조하는 방법에 있어서,산화바나듐 입자, 용매, 고분자 분산제, 및 바인더를 포함하는 용액을 기재 상에 도포하여 도포층을 형성하는 형성 단계;광을 조사하여 도포층의 유기물을 제거하는 광증발 단계; 및광을 조사하여 도포층에 포함되어 있는 산화바나듐 입자를 광소결시켜 산화 바나듐 클러스터를 포함하는 열변색층을 제조하는 광소결 단계를 포함하고,상기 광증발 단계 및 광소결 단계는 일정한 펄스 폭을 갖고 반복적으로 광을 조사하되, 광소결 단계에서 광의 반복 조사 횟수는, 광증발 단계에서 광의 반복 조사 횟수 이하이고,상기 광소결 단계는 일정한 펄스 폭을 갖고 반복적으로 광을 조사하되, 상기 광의 반복 조사 횟수는 150 내지 200회이며,상기 열변색층과 기재의 접착강도는 50N/m 이상이며, 산화 바나듐 클러스터의 크기는 20 내지 250nm이고, 상기 광학 적층체는 하기 일반식 2의 조건을 만족시키는 광학 적층체의 제조 방법: [일반식 2]BPmin - Opmin ≥ 10 %상기 일반식 2에서 BPmin는 임계온도 이하의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm에서 투과도의 최소값을 나타내고, OPmin는 임계온도 이상의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm에서 투과도의 최소값을 나타낸다
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제 1 항에 있어서, 광소결 단계에서 광의 출력 전압은, 광증발 단계에서 광의 출력 전압 보다 높은 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 광소결 단계에서 광의 펄스 폭은, 광증발 단계에서 광의 펄스 폭보다 작은 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 형성 단계는 용액을 기재 상에 도포하는 제1 도포 단계; 및제1 도포 단계에서 도포된 도포층 상에 용액을 도포하는 제2 도포 단계를 포함하는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 형성 단계는 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 수행되는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 광증발 단계 및 광소결 단계는 대기 분위기 하에서 수행되는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 열변색층은 하기 일반식 1을 만족하는 광학 적층체의 제조 방법:[일반식 1]1≤S(%)≤20상기 식에서 S는 화상해석장치에 의해 시료의 상면을 촬영한 화상을 분석하여 측정한 공극의 면적율을 나타낸다
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제 1 항에 있어서, 열변색층의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,적층체는 임계 온도 이상의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm 영역에서 투과도의 최소값이 70% 이하인 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기재는 유리, 석영 또는 고분자 필름인 광학 적층체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 고분자 필름은 유리전이 온도가 70℃ 이상인 고분자를 포함하는 광학 적층체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 고분자 필름은 1축 이상으로 연신되고, 120 ℃에서 1 시간 동안 노출시 수축율이 3% 미만인 광학 적층체의 제조 방법
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