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전력증폭소자로 다수의 저전류 단위소자와,상기 단위소자의 선형 및 비선형 특성 파라메타를 측정하는 파라미터 측정부와,상기 단위소자의 선형 및 비선형 영역에서 특성 파라메타의 측정 결과를 기반으로 비선형 모델 파라미터를 추출하여 비선형 모델링을 완성하는 파라미터 추출부와,상기 단위소자의 선형 및 비선형 영역에서 IV 커브에 따른 측정된 스캐터링 파라미터를 비교하여 단위소자 모델링을 검증하는 단위소자 모델링 검증부와,상기 단위소자의 비선형 모델링 결과를 병렬로 확장하여 대면적 소자를 모델링하는 병렬 확장부와,상기 모델링된 대면적 소자를 비선형 모델에 와이어 본딩과, 패키지의 리드 프레임을 추가하기 위한 임베딩을 수행하는 임베딩 수행부와,상기 대면적 소자의 비선형 영역에서 실제 소자 특성을 평가하고 최적의 임피던스를 얻기 위한 로드-풀 측정결과를 비교하여 상기 대면적 소자의 로드-풀 데이터를 이용하여 모델링을 검증하는 대면적 소자 모델링 검증부를 포함하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 장치
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제1항에 있어서,상기 파라미터 측정부는 온-웨이퍼 프로브를 이용하여, 상기 단위소자에 대한 Pulsed IV 및 각 Pulsed IV 점에 따른 스캐터링 파라미터를 온도에 따라 측정하는 것을 특징으로 하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 장치
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제1항에 있어서,상기 파라미터 측정부는 GaN HEMT 전력증폭소자에 따른 열적인 해석을 위해 롱 펄스에 대한 측정, 게이트-레그 및 드레인-레그의 드레인 전류 감소에 따른 출력 감소 영향을 해석하기 위한 측정도 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 장치
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제1항에 있어서,상기 단위소자 모델링 검증부는 상기 단위소자의 로드-풀 데이터를 이용하여 비선형 단위소자 모델링을 검증하는 것을 특징으로 하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 장치
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전력증폭소자로 복수의 저전력 단위소자를 준비하는 단계;상기 단위소자의 선형 및 비선형 특성 파라메타를 측정하는 단계;상기 단위소자에 대한 선형 및 비선형 파라미터 측정이 완료되면, 상기 단위소자의 선형 및 비선형 특성 파라메타의 측정 결과를 기반으로 비선형 모델 파라미터를 추출하여 비선형 모델링을 완성하는 단계;상기 단위소자에 대한 비선형 모델링이 완성되면, 선형 및 비선형 영역에서 IV 커브에 따른 측정된 스캐터링 파라미터를 비교하여 단위소자를 검증하는 단계;상기 단위소자의 검증이 완료된 비선형 모델링 결과를 병렬로 확장하여 대면적 소자를 모델링하는 단계;상기 모델링된 대면적 소자를 비선형 모델에 따른 와이어 본딩과, 패키지의 리드 프레임을 추가하는 임베딩을 수행하는 단계;상기 대면적 소자의 비선형 영역에서 실제 소자 특성을 평가하고 최적의 임피던스를 얻기 위한 로드-풀 측정결과를 비교 검증하는 단계를 포함하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 방법
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제5항에 있어서,상기 단위소자는 온-웨이퍼 프로브를 이용하여, 상기 단위소자에 대한 Pulsed IV 및 각 Pulsed IV 점에 따른 스캐터링 파라미터를 온도에 따라 측정하는 것을 특징으로 하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 방법
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제5항에 있어서,상기 단위소자는 GaN HEMT 전력증폭소자에 따른 열적인 해석을 위해 롱 펄스에 대한 측정, 게이트-레그 및 드레인-레그의 드레인 전류 감소에 따른 출력 감소 영향을 해석하기 위한 측정도 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 방법
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제5항에 있어서,상기 단위소자 또는 대면적 소자는 로드-풀 데이터를 이용하여 비선형 단위소자 또는 대면적 소자의 모델링을 검증하는 것을 특징으로 하는 전력증폭소자의 비선형 모델링 방법
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