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음극 전극, 전해 증착을 이용한 그 제조 방법, 및 그 제조 장치

  • 기술번호 : KST2021004473
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 음극 전극이 제공된다. 상기 음극 전극은, 집전체 및 상기 집전체 상에 배치되고 베이스 금속을 포함하는 음극 활물질층을 포함하되, 상기 음극 활물질층은 비정질 영역 내에 복수의 결정질 영역이 임의적으로(randomly) 서로 이격되어 분포된 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0564 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200133184 (2020.10.15)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0044724 (2021.04.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190127836   |   2019.10.15
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 경기도 안산시 상록구
2 삼바지 시바지 신데 경기도 안산시 상록구
3 김동형 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1088632-82
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-1243578-51
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번호 청구항
1 1
집전체, 및 상기 집전체 상에 제공되고 베이스 금속을 포함하는 음극 활물질층을 포함하는 음극 전극의 제조 장치에 있어서, 상기 베이스 금속을 갖는 금속염을 포함하는 전해 용액이 수용되고, 상기 전해 용액 내에 제공된 집전체를 갖는 컨테이너; 및상기 집전체에 전류를 인가하는 전원부를 포함하되, 상기 전원부에 의해 상기 집전체에 인가된 전류에 의해, 상기 집전체 상에 상기 금속염에 포함된 상기 베이스 금속이 증착되어 상기 음극 활물질층이 형성되는 것을 포함하는 음극 전극의 제조 장치
2 2
제1 항에 있어서, 상기 전원부는, 상기 집전체에 인가되는 전류 밀도를 제어하여, 상기 베이스 금속을 포함하는 상기 음극 활물질층의 결정화도를 제어하는 것을 포함하는 음극 전극의 제조 장치
3 3
제2 항에 있어서, 상기 전원부가 상기 집전체에 인가하는 전류 밀도가 증가할수록 상기 음극 활물질층의 결정화도가 증가하는 것을 포함하는 음극 전극의 제조 장치
4 4
제1 항에 있어서, 상기 베이스 금속은, 리튬, 소듐, 칼륨, 마그네슘, 알루미늄, 아연, 철, 또는 실리콘 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음극 전극의 제조 장치
5 5
집전체; 및상기 집전체 상에 배치되고 베이스 금속을 포함하는 음극 활물질층을 포함하되, 상기 음극 활물질층은 비정질 영역 내에 복수의 결정질 영역이 임의적으로(randomly) 서로 이격되어 분포된 것을 포함하는 음극 전극
6 6
제5 항에 있어서, 상기 음극 활물질층은, 상기 베이스 금속을 갖는 금속염 포함하는 전해 용액을 이용하여 전해 증착된 것을 포함하는 음극 전극
7 7
제5 항에 있어서, 상기 음극 활물질층의 두께는 50um 이상 100um 이하인 것을 포함하는 음극 전극
8 8
제5 항에 있어서, 상기 음극 활물질층에서, 상기 비정질 영역의 비율이 복수의 상기 결정질 영역을 합친 비율보다 높은 것을 포함하는 음극 전극
9 9
제5항에 따른 음극 전극;상기 음극 전극 상의 양극 전극; 및상기 음극 전극 및 상기 양극 전극 사이의 고체 전해질을 포함하는 이차 전지
10 10
베이스 금속을 갖는 금속염을 포함하는 전해 용액을 준비하는 단계;상기 전해 용액 내에 집전체를 침지시키는 단계; 및상기 전해 용액 내에 침지된 상기 집전체에 전류를 인가하여, 상기 접전체 상에 상기 금속염에 포함된 상기 베이스 금속을 증착시켜, 상기 집전체 상에 음극 활물질층을 형성하는 단계를 포함하는 음극 전극의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 전해 용액은, 상기 금속염 외에, 용매를 더 포함하고, 상기 금속염은, 상기 베이스 금속, 불소, 및 수소의 화합물을 포함하는 음극 전극의 제조 방법
12 12
제10 항에 있어서, 상기 집전체에 인가되는 전류 밀도에 따라서, 상기 베이스 금속으로 형성된 상기 음극 활물질층의 결정화도가 제어되는 것을 포함하는 음극 전극의 제조 방법
13 13
제10 항에 있어서, 상기 금속염은, 리튬 플루오로하이드로제네이트(Lithium fluorohydrogenate), 리튬 비스(플루오로설포닐)이미드(Lithium bis(fluorosulfonyl)imide), 또는 리튬 비스(트리플루오로설포닐)이미드(Lithium bis(trifluorosulfonyl)imide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하거나, 소듐 플루오로하이드로제네이트(Sodium fluorohydrogenate), 또는 소듐 헥사플루오로포스페이트(Sodium hexafluorophosphate) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하거나, 포타슘 플루오로하이드로제네이트(Potassium fluorohydrogenate), 또는 포타슘 헥사플루오로포스페이트(Potassium hexafluorophosphate) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하거나, 마그네슘 플루오로하이드로제네이트(Magnesium fluorohydrogenate), 또는 페닐마그네슘클로라이드(Phenyl magnesium chloride) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하거나, 알루미늄 플루오로하이드로제네이트(Aluminum fluorohydrogenate), 또는 알루미늄 클로라이드(aluminum chloride) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하거나, 아연 플루오로하이드로제네이트(Zinc fluorohydrogenate), 또는 아연 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드(Zinc bis(trifluoromethanesulfonyl) imide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하거나, 철 플루오로하이드로제네이트(Iron fluorohydrogenate), 또는 철 트리스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(Iron tris(trifluoromethylsulfonyl)imide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음극 전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) 한양대학교(ERICA캠퍼스) 미래소재디스커버리지원(R&D) 유기계 Superionic Plastic Crystal 신물질 설계를 통한 고에너지밀도의 soft materials platform개발