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전극의 중간 생성물, 이를 이용한 전극, 이를 이용한 전극 펠렛, 및 그들의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021004476
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극의 중간 생성물의 제조 방법이 제공된다. 상기 전극의 중간 생성물의 제조 방법은, 베이스 입자를 준비하는 단계, 상기 베이스 입자, 및 제1 금속을 포함하는 코팅 소스를 혼합하여, 상기 베이스 입자의 표면 상에 상기 제1 금속을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계, 및 상기 코팅층이 형성된 상기 베이스 입자 및 제2 금속을 열처리하여, 상기 코팅층이 형성된 상기 베이스 입자 및 상기 제2 금속이 용융된 용융 소스를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0564 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200133145 (2020.10.15)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0044722 (2021.04.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190127836   |   2019.10.15
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 경기도 안산시 상록구
2 삼바지 시바지 신데 경기도 안산시 상록구
3 김동형 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1088391-73
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-1243573-23
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번호 청구항
1 1
베이스 입자를 준비하는 단계;상기 베이스 입자, 및 제1 금속을 포함하는 코팅 소스를 혼합하여, 상기 베이스 입자의 표면 상에 상기 제1 금속을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 코팅층이 형성된 상기 베이스 입자 및 제2 금속을 열처리하여, 상기 코팅층이 형성된 상기 베이스 입자 및 상기 제2 금속이 용융된 용융 소스를 형성하는 단계를 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 베이스 입자는, 금속, 금속 산화물, 금속 탄화물, 또는 탄소 구조체를 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 베이스 입자는, 탄소 구조체를 포함하고, 상기 베이스 입자를 상기 코팅 소스와 혼합하기 전, 상기 베이스 입자를 금속 질산 용액으로 전처리하는 단계를 더 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은 리튬을 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 코팅 소스는, 리튬, 질소, 불소, 황, 탄소, 및 산소의 화합물을 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 베이스 입자 및 상기 코팅 소스는 혼합된 후, 상온보다 높은 온도에서 열처리되는 것을 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
7 7
제1 항에 따른 상기 용융 소스를 준비하는 단계; 및상기 용융 소스를 코팅하여 전극 필름을 제조하는 단계를 포함하는 전극의 제조 방법
8 8
제1 항에 따른 용융 소스를 준비하는 단계; 및상기 용융 소스를 냉각하고 분할하여, 전극 펠렛을 제조하는 단계를 포함하는 전극 펠렛의 제조 방법
9 9
황 및 염소를 포함하는 제1 전구체, 황 및 염소를 포함하는 제2 전구체, 황 및 질소를 포함하는 제3 전구체를 준비하는 단계;상기 제1 전구체, 상기 제2 전구체, 및 상기 제3 전구체를 반응시켜, 황, 염소, 산소, 질소, 및 수소를 포함하는 제1 화합물을 제조하는 단계;상기 제1 화합물 및 불소를 포함하는 제4 전구체를 반응시켜, 제2 화합물을 제조하는 단계; 및상기 제2 화합물 및 제1 금속을 포함하는 금속염을 반응시켜, 제3 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 코팅 소스의 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서, 상기 제2 화합물 및 상기 금속염을 반응시키기 전, 상기 제2 화합물을 상온보다 낮은 온도에서 탈이온수와 반응시키는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 화합물을 제조하는 단계는, 탈이온수와 반응된 상기 제2 화합물을 상기 금속염과 반응시키는 것을 포함하는 코팅 소스의 제조 방법
11 11
제9 항에 있어서, 상기 제1 금속은 리튬, 칼륨, 나트륨, 아연, 철, 마그네슘, 실리콘, 또는 알루미늄을 포함하는 코팅 소스의 제조 방법
12 12
제9 항에 따른 상기 코팅 소스를 준비하는 단계;베이스 입자, 및 상기 코팅 소스를 혼합하여, 상기 베이스 입자의 표면 상에 상기 제1 금속을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 코팅층이 형성된 상기 베이스 입자, 및 제2 금속을 열처리하여, 상기 코팅층이 형성된 상기 베이스 입자 및 상기 제2 금속이 용융된 용융 소스를 형성하는 단계를 포함하는 전극의 중간 생성물의 제조 방법
13 13
베이스 입자, 및 상기 베이스 입자의 표면 상에 제공되고 제1 금속을 포함하는 코팅층이, 제2 금속과 함께 용융된 용융 소스가 응고된 전극 필름 또는 전극 펠렛
14 14
제13 항에 있어서, 상기 베이스 입자는, 실리콘 산화물, 알루미늄, 알루미늄 산화물, 구리, 구리 산화물, 티타늄, 티타늄 산화물, 티타늄 탄화물, 마그네슘, 주석, 주석 산화물, 게르마늄, 비스무트, 몰리브덴, 또는 탄소 구조체 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 필름 또는 전극 펠렛
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) 한양대학교(ERICA캠퍼스) 미래소재디스커버리지원(R&D) 유기계 Superionic Plastic Crystal 신물질 설계를 통한 고에너지밀도의 soft materials platform개발