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부식 방지 및 방열성을 향상시킨 프로브카드 니들

  • 기술번호 : KST2021004480
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 부식 방지 및 방열성을 향상시킨 프로브카드 니들 및 상기 프로브카드 니들의 표면처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 텅스텐, 텅스텐-레늄, 구리-베릴륨 및 팔라듐으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나로 구성되는 프로브카드 니들에 표면처리 방법으로 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 사용하여 산화알루미륨(Al2O3) 또는 산화지르코늄(ZrO2) 막을 매우 얇게 그리고 고르게 코팅함으로써 부식 방지, 전기전도성 및 방열성을 향상시킴으로써, 가늘어진 니들의 열부식에 의해 프로브카드 신뢰성 저하를 해결할 수 있는 새로운 표면처리 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01) G01R 3/00 (2006.01.01) G01R 1/067 (2006.01.01) G01R 1/073 (2006.01.01) G01R 31/28 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45553(2013.01) C23C 16/403(2013.01) C23C 16/405(2013.01) C23C 16/4408(2013.01) G01R 3/00(2013.01) G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/07307(2013.01) G01R 31/2886(2013.01)
출원번호/일자 1020190127702 (2019.10.15)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0044933 (2021.04.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송신애 서울특별시 서초구
2 김기영 경기도 부천시 원미구
3 임성남 경기도 안산시 단원구
4 우주영 경기도 군포시 번영로 *** (

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-1049393-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0024252-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0164538-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.04.01 1-1-2021-0382018-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2021-0382017-42
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번호 청구항
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i) 반응 챔버 내에 텅스텐, 텅스텐-레늄, 구리-베릴륨 및 팔라듐으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나로 구성되는 프로브카드 니들을 배치하는 단계;ii) 상기 반응 챔버 내의 니들 표면에 기화된 금속 전구체인 트리메틸알루미늄(trimethylamuminum) 또는 테트라키스(에틸메틸아미도)지르코늄(tetrakis(Ethylmethylamino) Zirconium)을 공급하여 흡착시키는 단계;iii) 퍼지가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 기화된 금속 전구체를 제거하는 단계;iv) 금속 전구체가 흡착된 샘플 위에 반응가스를 공급하여 반응시켜 산화알루미(Al2O3) 또는 산화지르코늄(ZrO2) 박막을 형성하는 단계;v) 퍼지가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 반응가스 및 반응 부산물을 제거하는 단계; 및vi) 원하는 두께의 산화알루미륨(Al2O3) 또는 산화지르코늄(ZrO2) 박막이 획득될 때까지 상기 ii) 단계 내지 v) 단계를 순차적으로 반복 수행하는 단계;를 포함하는,원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용한 프로브카드 니들의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 퍼지가스는 아르곤(Ar) 가스 또는 질소(N2) 가스인 것을 특징으로 하는 프로브카드 니들의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 반응가스는 O3, H2O, H2O2 및 O2로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프로브카드 니들의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 ii) 단계에서 v) 단계까지는 1 스텝(step)으로서 각각 0
5 5
제1항에 있어서,상기 반복은 10 ~ 30 사이클(cycle)을 수행하는 것을 특징으로 하는 프로브카드 니들의 표면처리 방법
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텅스텐, 텅스텐-레늄, 구리-베릴륨 및 팔라듐으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나로 구성되는 니들 표면에 산화알루미륨(Al2O3) 또는 산화지르코늄(ZrO2) 막이 10 ~ 30 nm 두께로 균일하게 코팅된, 프로브카드 니들
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제6항에 있어서,상기 프로브카드 니들은 니들 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 통해 산화알루미륨(Al2O3) 또는 산화지르코늄(ZrO2) 막이 코팅된 것을 특징으로 하는 프로브카드 니들
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 중소중견기업 타킷형 육성 생산기술개발사업 주문형 비메모리 반도체 웨이퍼칩 검사용 고성능 카드 제조 기술 개발