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베이스층;상기 베이스층으로부터 돌출 형성되는 복수의 기둥부; 및상기 기둥부의 상면으로부터 돌출형성되되, 단면의 직경이 상기 기둥부 단면의 직경보다 크게 형성되는 헤드부;를 포함하며,상기 헤드부는,상기 기둥부로부터 돌출형성되는 제1 헤드부; 및상기 제1 헤드부의 가장자리 영역으로부터 돌출 형성되는 제2 헤드부;를 포함하고,상기 베이스층, 상기 기둥부 및 상기 헤드부의 재질은 동일한 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면
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제1항에 있어서,상기 베이스층, 상기 기둥부 및 상기 헤드부의 재질은 폴리다이메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloxane), 폴리우레탄아크릴레이트(PUA, Polyurethane Acrylate), 펄플루오르폴리에테르 (PFPE, Perfluoropolyether), 폴리염화비닐(PVC, Polyvinyl chloride), 에틸렌비닐아세테이트(EVA, Ethylene Vinyl Acetate), 폴리에틸렌(PE, polyethylene), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethylenenaphthalate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리올레핀(PO, polyolefin), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, Polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(PS, Polystyrene), 니트로셀룰로오스(nitrocellulose), 아세틸셀룰로오스(acetyl cellulose), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), ABS 수지(acrylonitrile-butadiene-styrene resin), 폴리아미드(PA, Polyamide), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리에테르술폰(PES, Polyehtersulfone), 폴리비닐아세탈(polyvinylacetal), 폴리에테르케톤(PEK, Polyetherketone), 트리아세틸셀룰로오스(TAC, triacetylcellulose), 나이팜(pNIPAAm, poly N-isopropylacrylamide), 노아(NOA, Norland Optical Adhesive) 및 폴리우레탄(PU, polyurethane) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면
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선택적 액적 흐름 표면을 제작하는 방법에 있어서,버섯기둥구조 실리콘 몰드 제작단계; 상기 버섯기둥구조 실리콘 몰드에 고분자 물질을 채워 경화시키는 버섯기둥구조 형성단계; 및상기 버섯기둥구조 실리콘 몰드와 상기 고분자 물질를 이격시켜 버섯기둥구조가 형성된 표면을 제작하는 표면제작단계;를 포함하되,상기 버섯기둥구조 실리콘 몰드 제작단계는,실리콘 웨이퍼의 상면에 포토 레지스트층을 형성하는 포토 레지스트층 형성단계;일정한 간격으로 서로 이격된 복수개의 링 형상으로 상기 포토 레지스트층을 식각하고 식각된 상기 포토 레지스트층을 마스크로 하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상면을 식각하는 제1 식각단계;상기 포토 레지스트층을 제거하는 포토 레지스트층 제거단계;상기 실리콘 웨이퍼 상부에 산화 실리콘층을 증착하고, 상기 산화 실리콘층 상부에 폴리 실리콘층을 형성하는 폴리 실리콘층 형성단계;상기 폴리 실리콘층 영역 중 상기 복수개의 링 형상의 외주면과 대응되는 원 형상 이외의 영역을 식각하는 제2 식각단계;상기 산화 실리콘층 및 상기 폴리 실리콘층 상부에 이산화규소층을 형성하는 이산화규소층 형성단계; 상기 복수개의 링 형상과 대응되는 각각의 상기 이산화규소층 영역을 원 형상으로 식각하는 제3 식각단계; 및상기 폴리 실리콘층을 제거하는 폴리 실리콘층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면의 제작방법
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제3항에 있어서,상기 표면제작단계 수행 이후, 상기 버섯기둥구조의 표면상에 8플루오르화 부탄(C4F8, Octafluorocyclobutane)을 증착시키는 C4F8 증착단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면의 제작방법
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제3항에 있어서,상기 버섯기둥구조 형성단계는,상기 버섯기둥구조 실리콘 몰드에 형성된 상기 실리콘 웨이퍼, 상기 폴리 실리콘층 및 상기 이산화규소층이 식각된 영역에 고분자 물질을 채우는 캐스팅 단계; 및상기 고분자 물질을 경화시키는 경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면의 제작방법
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제3항에 있어서,상기 제1 식각단계에서 식각된 링 형상은 상기 제2 식각단계에서 식각된 원 형상의 가장자리 영역과 대응되도록 형성되며,상기 제2 식각단계에서 식각된 원 형상의 직경은 상기 제3 식각단계에서 식각된 원 형상의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면의 제작방법
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제3항에 있어서,상기 버섯기둥구조 형성단계의 고분자 물질은 상기 베이스층, 상기 기둥부 및 상기 헤드부의 재질은 폴리다이메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloxane), 폴리우레탄아크릴레이트(PUA, Polyurethane Acrylate), 펄플루오르폴리에테르 (PFPE, Perfluoropolyether), 폴리염화비닐(PVC, Polyvinyl chloride), 에틸렌비닐아세테이트(EVA, Ethylene Vinyl Acetate), 폴리에틸렌(PE, polyethylene), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethylenenaphthalate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리올레핀(PO, polyolefin), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, Polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(PS, Polystyrene), 니트로셀룰로오스(nitrocellulose), 아세틸셀룰로오스(acetyl cellulose), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), ABS 수지(acrylonitrile-butadiene-styrene resin), 폴리아미드(PA, Polyamide), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리에테르술폰(PES, Polyehtersulfone), 폴리비닐아세탈(polyvinylacetal), 폴리에테르케톤(PEK, Polyetherketone), 트리아세틸셀룰로오스(TAC, triacetylcellulose), 나이팜(pNIPAAm, poly N-isopropylacrylamide), 노아(NOA, Norland Optical Adhesive) 및 폴리우레탄(PU, polyurethane) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 액적 흐름 표면의 제작방법
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