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기판 상에 제 1 몰리브덴층 및 몰리나이트라이드층을 형성하는 단계;상기 예비전극부 상에, 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)을 포함하는, 예비광흡수층을 형성하는 단계; 및셀렌화(selenization) 공정을 수행하여, 상기 예비전극부를 전극부로 형성하고 상기 예비광흡수층을 CIGS 광흡수층으로 형성하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 셀렌화를 수행할 경우, 상기 셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)과 상기 몰리나이트라이드층의 적어도 어느 일부가 반응하여 상기 셀레늄을 함유하는 화합물층으로 상변태함으로써, 상기 예비전극부가 상기 제 1 몰리브덴층, 상기 몰리나이트라이드층 및 상기 셀레늄을 함유하는 화합물층이 순차적으로 배치된 전극부로 형성되는 단계; 및상기 셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)이 상기 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 예비광흡수층이 CIGS 광흡수층으로 형성되는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 셀렌화 공정 이후에 황화(sulfurizaion) 공정을 더 수행할 경우, 상기 황화에 수반된 황(S)과 상기 몰리나이트라이드층의 적어도 어느 일부가 반응하여 상기 황을 함유하는 화합물층으로 상변태함으로써, 상기 예비전극부가 상기 제 1 몰리브덴층, 상기 몰리나이트라이드층 및 상기 황을 함유하는 화합물층이 순차적으로 배치된 전극부로 형성되는 단계; 및상기 황화에 수반된 황(S)이 상기 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 예비광흡수층이 CIGS 광흡수층으로 형성되는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 셀렌화 공정 이후에 황화(sulfurizaion) 공정을 더 수행할 경우, 상기 몰리나이트라이드층 상에 제 2 몰리브덴층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 황화에 수반된 황(S)과 상기 제 2 몰리브덴층의 적어도 어느 일부가 반응하여 상기 황을 함유하는 화합물층으로 상변태함으로써, 상기 예비전극부가 상기 제 1 몰리브덴층, 상기 몰리나이트라이드층 및 상기 황을 함유하는 화합물층이 순차적으로 배치된 전극부로 형성되는 단계; 및상기 황화에 수반된 황(S)이 상기 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 예비광흡수층이 CIGS 광흡수층으로 형성되는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰리나이트라이드층의 두께는 50㎚ 내지 70㎚인,태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 제 1 몰리브덴층 및 몰리나이트라이드층을 형성하는 단계;는,상기 기판 상에 상기 제 1 몰리브덴층을 형성하는 단계 이후에 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스 및 질소(N2) 가스의 유량비(Ar/N2)를 20:2 내지 20:4의 비율로 제어하면서 상기 제 1 몰리브덴층 상에 상기 몰리나이트라이드층을 형성하는 단계를 포함하는,태양전지의 제조방법
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