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기판;상기 기판 위에 적층되는 탄소 나노 튜브;상기 기판과 상기 탄소 나노 튜브 위에 적층되는 그래핀층;상기 탄소 나노 튜브와 이격되어 배치되고, 상기 그래핀층 위에 적층되는 제1 전극;상기 그래핀층과 이격되어 배치되고, 상기 탄소 나노 튜브 위에 적층되는 제2 전극;상기 탄소 나노 튜브와 상기 그래핀층 위에 적층되는 절연층; 및상기 절연층 위에 적층되는 제3 전극을 포함하는, 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기판 아래에 형성된 제4 전극을 더 포함하는, 트랜지스터
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3
제1항에 있어서,상기 그래핀층은,상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되며, 상기 제2 전극을 향하여 연장되는, 트랜지스터
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4
제3항에 있어서,상기 그래핀층은,상기 제1 전극으로 연장되어 제1 높이로 형성된 제1 영역; 및상기 제2 전극으로 연장된 제2 높이로 형성된 제2 영역을 포함하는, 트랜지스터
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5
제4항에 있어서,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 단일 겹 그래핀으로 구현된, 트랜지스터
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6
제4항에 있어서,상기 제1 영역은,상기 제1 전극, 상기 기판 및 상기 탄소 나노 튜브에 직접적으로 접촉되고,상기 제2 영역은,상기 탄소 나노 튜브 및 상기 절연층과 직접적으로 접촉되는, 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브는,상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 상기 제1 전극을 향하여 연장되는, 트랜지스터
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| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브는,상기 기판, 상기 제2 전극, 상기 그래핀층 및 상기 절연층과 직접적으로 접촉되는, 트랜지스터
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9
제2항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브 및 상기 그래핀층은 쇼트키 접합을 형성하고,상기 쇼트키 접합은,상기 제3 전극에 인가된 전압에 의해 조절되는, 트랜지스터
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10
제9항에 있어서,상기 제3 전극 및 상기 제4 전극에 모두 전압이 인가된 경우,상기 쇼트키 접합은,상기 제4 전극에 인가된 전압에 의해 조절되는, 트랜지스터
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11
기판;상기 기판 위에 적층되는 배리스터 소자;상기 배리스터 소자 위에 적층되며 상기 배리스터 소자의 일 측에 배치되는 제1 전극;상기 배리스터 소자 위에 적층되며 상기 제1 전극과 이격되어 배치되는 제2 전극;상기 배리스터 소자 위에 적층되는 절연층;상기 절연층 위에 적층되는 제3 전극; 및상기 기판 아래에 형성되는 제4 전극을 포함하는, 트랜지스터
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12
제11항에 있어서,상기 배리스터 소자는,상기 기판 위에 적층되는 탄소 나노 튜브; 및상기 기판과 상기 탄소 나노 튜브 위에 적층되는 그래핀층을 포함하고,상기 제1 전극은,상기 탄소 나노 튜브와 이격되어 배치되며 상기 그래핀층 위에 적층되고,상기 제2 전극은,상기 그래핀층과 이격되어 배치되며 상기 탄소 나노 튜브 위에 적층되고,상기 절연층은,상기 탄소 나노 튜브와 상기 그래핀층 위에 적층되는, 트랜지스터
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13
제12항에 있어서,상기 그래핀층은,상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 형성되며, 상기 제2 전극을 향하여 연장되는, 트랜지스터
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14
제13항에 있어서,상기 그래핀층은,상기 제1 전극으로 연장되어 제1 높이로 형성된 제1 영역; 및상기 제2 전극오로 연장되어 제2 높이로 형성된 제2 영역을 포함하는, 트랜지스터
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15
제14항에 있어서,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 단일 겹 그래핀으로 구현된, 트랜지스터
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16
제14항에 있어서,상기 제1 영역은,상기 제1 전극 상기 기판 및 상기 탄소 나노 튜브에 직접적으로 접촉되고,상기 제2 영역은,상기 탄소 나노 튜브 및 상기 절연층과 직접적으로 접촉되는, 트랜지스터
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17
제12항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브는,상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 상기 제1 전극을 향하여 연장되는, 트랜지스터
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18
제12항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브는,상기 기판, 상기 제2 전극, 상기 그래핀층 및 상기 절연층과 직접적으로 접촉되는, 트랜지스터
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19
제12항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브 및 상기 그래핀층은 쇼트키 접합을 형성하고,상기 쇼트키 접합은,상기 제3 전극에 인가된 전압에 의해 조절되는, 트랜지스터
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20
제19항에 있어서,상기 제3 전극 및 상기 제4 전극에 모두 전압이 인가된 경우,상기 쇼트키 접합은,상기 제4 전극에 인가된 전압에 의해 조절되는, 트랜지스터
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