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반도체 소자를 준비하는 단계;상기 반도체 소자 상에 열계면층을 제조하는 단계; 및상기 열계면층 상에 방열부(heat spreader)를 배치하는 단계를 포함하되,상기 열계면층은, 금속 코어, 및 상기 금속 코어를 감싸는 탄소 쉘을 포함하는 코어쉘 복합체를 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열계면층을 제조하는 단계는,상기 반도체 소자 상에 열 페이스트층(thermal paste layer)을 형성하는 단계;상기 열 페이스트층 상에 상기 코어쉘 복합체를 포함하는 제1 열계면층을 제조하는 단계;상기 제1 열계면층 상에, 금속 입자, 및 상기 금속 입자의 표면에 티올기로 결합된 유기물을 포함하는 상기 금속-유기 복합체를 포함하는 예비 열계면층을 제조하는 단계; 및상기 예비 열계면층을 광소결하여, 제2 열계면층을 제조하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 예비 열계면층을 광소결하는 단계는,상기 예비 열계면층을 제1 광소결하여, 상기 금속-유기 복합체의 상기 유기물을 제거하는 단계; 및상기 제1 광소결된 상기 예비 열계면층을 제2 광소결하여, 상기 금속-유기 복합체의 상기 유기물이 제거되어 잔존된 상기 금속 입자 간의 소결로 금속 박막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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제3 항에 있어서,제1 광소결된 상기 예비 열계면층을 상기 제2 광소결하는 단계는, 상기 제1 광소결된 상기 예비 열계면층에 인가되는 광에너지가 18
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제2 항에 있어서,상기 금속-유기 복합체의 상기 금속 입자는, 상기 코어쉘 복합체의 상기 금속 코어와 같은 종류의 금속인 것을 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 금속-유기 복합체는, 반응기 내부에 상기 금속 입자, 및 기체 상태의 상기 유기물을 제공하여, 상기 금속 입자의 표면에 상기 유기물의 티올기를 결합시켜 제조되는 것을 포함하고,상기 유기물은, 부탄티올, 옥탄티올, 또는 데칸티올 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열계면층을 제조하는 단계는,상기 코어쉘 복합체, 및 서멀 그리스(thermal grease)를 포함하는 열계면물질을 준비하는 단계; 및상기 반도체 소자 상에 상기 열계면물질을 제공하여, 상기 열계면층을 제조하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 코어쉘 복합체를 제조하는 단계는,상기 금속 입자의 표면에 열 분해 고분자를 코팅하여 예비 복합체를 제조하는 단계; 및상기 예비 복합체의 상기 열 분해 고분자를 열 분해하여, 상기 열 분해 고분자를 상기 탄소 쉘로 변환시키는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지의 제조 방법
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반도체 소자;방열부(heat speader); 및상기 반도체 소자와 상기 방열부 사이에 열계면물질을 포함하는 열계면층을 포함하되,상기 열계면층은, 금속 코어, 및 상기 금속 코어를 감싸는 탄소 쉘을 포함하는 코어쉘 복합체를 포함하는 반도체 소자 패키지
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제9 항에 있어서,상기 열계면층은,상기 반도체 소자 상에 열 페이스트;상기 열 페이스트 상에 상기 코어쉘 복합체를 포함하는 제1 열계면층; 및상기 제1 열계면층 상에 상기 코어쉘 복합체와 동일한 금속을 포함하는 제2 열계면층을 포함하는 반도체 소자 패키지
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제10 항에 있어서, 상기 제2 열 계면층은, 금속 입자가 용융 소결된 것을 포함하는 반도세 소자 패키지
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제9 항에 있어서,상기 열계면층은,상기 코어쉘 복합체, 및 서멀 그리스(thermal grease)를 포함하는 반도체 소자 패키지
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제9 항에 있어서,상기 금속 코어는, 구리인 것을 포함하는 반도체 소자 패키지
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