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레이저 빔을 생성하는 레이저 발진기;상기 레이저 빔을 멀티빔으로 분할하는 멀티빔 생성 광학계;상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔을 선택적으로 개폐하는 광학 스위치;전사 기판과 타겟 기판을 2축 방향으로 이송하는 스테이지; 및전사 대상 포인트의 위치를 설정하고 상기 위치 신호를 상기 광학 스위치와 상기 스테이지에 전송하여, 상기 위치 신호에 따른 상기 스테이지의 구동과 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 개폐를 제어하는 제어기를 포함하는 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광학 스위치로부터 전송된 멀티빔을 반사하여 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하는 레이저 스캐너를 더 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 멀티빔 생성 광학계는 회절 광학 소자(Diffraction Optical Element, DOE)를 포함하고, 상기 광학 스위치는 MEMS (Microelectromechanical) 스위치를 포함하는,멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 멀티빔 생성 광학계는 광 커플러를 포함하고, 상기 광학 스위치는 AOM (Acousto-optic Modulator) 스위치 또는 광섬유 타입 MEMS (Microelectromechanical) 스위치를 포함하는,멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 장치
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반도체 소자를 전사 기판으로부터 타겟 기판에 전사하는 레이저 전사 방법에 있어서,단일 레이저 빔을 멀티빔 생성 광학계에 전송하여 멀티빔을 생성하는 단계;전사 기판 또는 타겟 기판의 반도체 소자를 검사하여 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계;상기 설정된 전사 대상 포인트의 위치 신호를 광학 스위치에 전달하여 개별 요소 빔이 선택적으로 개폐된 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계; 및상기 전사 기판에 상기 생성된 다발 형상의 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 멀티빔 생성 광학계는 회절 광학 소자(Diffraction Optical Element, DOE)를 포함하고, 상기 광학 스위치는 MEMS (Microelectromechanical) 스위치를 포함하는,멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 멀티빔 생성 광학계는 광 커플러를 포함하고, 상기 광학 스위치는 AOM (Acousto-optic Modulator) 스위치 또는 또는 광섬유 타입 MEMS (Microelectromechanical) 스위치를 포함하는,멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,상기 전사 기판에 옮겨진 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 8 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 전사 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 9 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔 생성 광학계와 광학 스위치에서 전달된 멀티빔을 반사시켜 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하면서 이동시켜 조사하는 것을 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 10 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 10 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 전사 영역의 폭만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,상기 광학 스위치에서 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 개폐된 것을 포함하는,멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,상기 타겟 기판에 전사된 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 14 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 불량 칩의 제거 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 15 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 광학 스위치에서 상기 레이저 멀티빔의 개별 요소 빔을 선택하여 상기 타겟 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,상기 반도체 소자가 전사된 타겟 기판을 검사하여 칩 미전사 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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18
제 17 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 필-인(fill-in) 영역을 구획하고, 상기 전사 기판의 잔여 반도체 소자의 배열과 상기 타겟 기판의 칩 미전사 위치를 조합하여 상기 구획된 각 필-인 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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제 18 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 광학 스위치에서 상기 레이저 멀티빔의 개별 요소 빔을 선택하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는, 멀티빔 생성과 스위치를 이용한 레이저 전사 방법
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