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레이저 빔을 생성하는 레이저 발진기;상기 레이저 빔을 멀티빔으로 분할하고, 상기 멀티빔의 각 개별 요소를 선택적으로 개폐하는 능동 멀티빔 광학계;전사 기판과 타겟 기판을 2축 방향으로 이송하는 스테이지; 및전사 대상 포인트의 위치를 설정하고 상기 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계와 상기 스테이지에 전송하여, 상기 위치 신호에 따른 상기 스테이지의 구동과 상기 멀티빔의 개폐를 제어하는 제어기를 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 능동 멀티빔 광학계로부터 전송된 멀티빔을 각 개별 요소 별로 집속하는 렌즈를 더 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 능동 멀티빔 광학계로부터 전송된 멀티빔을 반사하여 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하는 레이저 스캐너를 더 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 능동 멀티빔 광학계는 공간 광 변조기(SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(DMD)를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치
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반도체 소자를 전사 기판으로부터 타겟 기판에 전사하는 레이저 전사 방법에 있어서,단일 레이저 빔을 능동 멀티빔 광학계에 전송하여 멀티빔을 생성하는 단계;전사 기판 또는 타겟 기판의 반도체 소자를 검사하여 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계;상기 설정된 전사 대상 포인트의 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계에 전달하여 개별 요소 빔이 선택적으로 개폐된 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계; 및상기 전사 기판에 상기 생성된 다발 형상의 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,레이저 리프트-오프(Laser Lift-Off, LLO) 공정으로 에피텍시얼 웨이퍼(EPI wafer) 상의 반도체 소자를 상기 전사 기판으로 옮기는 단계를 더 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 능동 멀티빔 광학계는 공간 광 변조기(SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(DMD)를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,상기 전사 기판에 옮겨진 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 8 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 전사 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 9 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 멀티빔을 형성하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 9 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,레이저 스캐너를 이용하여 상기 능동 멀티빔 광학계에서 전달된 멀티빔을 반사시켜 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하면서 이동시켜 조사하는 것을 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 11 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 11 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 전사 영역의 폭만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 개폐된 것을 포함하는,능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,상기 타겟 기판에 전사된 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 15 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 불량 칩의 제거 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 16 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 레이저 멀티빔을 형성하여 상기 타겟 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,상기 반도체 소자가 전사된 타겟 기판을 검사하여 칩 미전사 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 18 항에 있어서,상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 필-인(fill-in) 영역을 구획하고, 상기 전사 기판의 잔여 칩의 배열과 상기 타겟 기판의 칩 미전사 위치를 조합하여 상기 구획된 각 필-인 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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제 19 항에 있어서,상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 레이저 멀티빔을 형성하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법
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