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탄화수소 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021004712
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고유전성을 바탕으로 SiO2 박막은 물론 Hf 또는 Zr 기반의 산화물 박막보다도 유전상수가 현저히 높으면서도 박막의 균일성이 우수하고, 동시에 누설전류가 매우 낮고, 높은 유전강도 특성을 나타내어 10nm 노드 이하의 반도체 소자에 적용되어 우수한 성능을 구현할 수 있는 탄화수소 박막으로서, 비정질 구조를 갖고, 유전상수가 10 이상이며, 수소와 탄소의 이차이온 질량분석(SIMS: secondary-ion mass spectrometry) 상대 강도 비가 4 내지 30이고, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)의 탄소 1s 스펙트럼 상 280eV 내지 290eV 중에 존재하는 결합 에너지 피크(peak)가 1keV 세기의 아르곤(Ar+) 플라즈마 에칭으로 5초 내지 20초 중 어느 하나의 시간 조건 하에서 표면 처리한 전후의 결합 에너지(eV) 이동폭이 0.5eV 이하인 탄화수소 박막 및 이의 제조방법과 이를 적용한 반도체 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/8234 (2006.01.01) H01L 29/10 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210046396 (2021.04.09)
출원인 충남대학교산학협력단, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0047287 (2021.04.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180173522   |   2018.12.31
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 분할
원출원번호/일자 10-2019-0176443 (2019.12.27)
관련 출원번호 1020190176443
심사청구여부/일자 Y (2021.04.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김의태 대전광역시 중구
2 김동욱 대전광역시 유성구
3 이종훈 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원대규 대한민국 서울특별시 금천구 디지털로 ***, ***호(에이스가산 타워)(세인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2021.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0417532-54
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0061770-02
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2021-0460783-05
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번호 청구항
1 1
반응기 내에 탄화수소 가스를 포함하는 제1 가스 및 수소 가스를 포함하는 제2 가스를 주입하는 단계;상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 반응기의 온도, 상기 반응기의 압력 및 상기 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하는 단계;를 포함하는, 탄화수소 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반응기의 온도를 조절하는 단계를 포함하고, 상기 반응기의 온도는 200℃ 내지 600℃로 조절되는, 탄화수소 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반응기의 압력을 조절하는 단계를 포함하고, 상기 반응기 내 압력은 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 세기를 조절하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 세기는 100W 내지 1,000W로 조절되는, 탄화수소 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 가스 대 상기 제2 가스의 체적비는 1 : 2 내지 1 : 50인,탄화수소 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 제3 가스를 주입하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 가스는 비활성 가스를 포함하는, 탄화수소 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.