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기판;상기 기판 상에 형성된 소수성 층;상기 소수성 층 상에 형성된 패턴화된 친수성 층;상기 패턴화된 친수성 층 상에 형성된 페로브스카이트 층을 포함하고,상기의 기판, 소수성 층, 패턴화된 친수성 층, 및 페로브스카이트 층 순으로 적층된,광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 소수성 층 및 상기 패턴화된 친수성 층은 무기 산화물을 포함하는 것인, 광전 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 무기 산화물은 실리카(SiO2), 이산화티타늄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 지르코니아(ZrO2), 및 산화아연(ZnO) 중에서 선택되는 하나 이상인 것인, 광전 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 소수성 층 및 상기 패턴화된 친수성 층은 상기 무기 산화물의 온도 제어에 의해 형성되는 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 소수성 층의 컨택 앵글 각도는 100 °이상이고,상기 패턴화된 친수성 층의 컨택 앵글 각도는 10 °이하인 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 패턴화된 친수성 층의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층의 패턴 선폭은 10 μm 내지 200 μm인 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 패턴화된 친수성 층을 형성하는 패턴의 기본 단위 구조체는, 원형, 삼각형, 사각형, 서로 맞물린 형태(interdigitated), 또는 말굽형인 것인, 광전 디바이스
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제 8 항에 있어서,상기 패턴의 기본 단위 구조체는 가로 10 nm 내지 100 μm, 세로 10 nm 내지 100 μm 의 사각형을 포함하는 것인, 광전 디바이스
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10
제 8 항에 있어서,상기 패턴의 기본 단위 구조체 간의 간격은 10μm 내지 30 cm인 것인, 광전 디바이스
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11
제 1 항에 따른 광전 디바이스를 포함하고,상기 소수성 층과 상기 패턴화된 친수성 층 사이에 전극을 추가 포함하는, 광 검출기
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제 11 항에 있어서,상기 소수성 층과 상기 패턴화된 친수성 층 사이에 하부 전극; 및페로브스카이트 층 상에 상부 전극을 포함하고,상기 하부 전극과 상기 상부 전극이 크로스 형태로 배열된 크로스바 어레이 구조를 포함하는, 광 검출기
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13
기판 상에 소수성 물질을 증착하여 소수성 층을 형성하고;상기 소수성 층 상에 친수성 물질 층을 증착하고;상기 친수성 물질 층을 포토 리소그래피하여 패턴화하고;상기 패턴화된 친수성 층 상에 페로브스카이트 물질을 증착하여 페로브스카이트 층을 형성하는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 광전 디바이스의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 소수성 물질의 증착은 150℃ 내지 350℃에서 수행되고,상기 친수성 물질의 증착은 0℃ 내지 40℃에서 수행되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 소수성 물질 및 상기 친수성 물질의 증착은 rf-스퍼터링을 통해 수행되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 친수성 물질 층은 메탈 마스크를 통해 패턴화가 수행되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
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