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(제1단계) 사이클로실록산 화합물 및 산촉매를 반응기에 주입하는 단계;(제2단계) 상기 반응기를 75 ~ 85 ℃로 가열하는 단계;(제3단계) 상기 반응기에 75 ~ 85 ℃를 유지한 상태에서 이산화탄소를 주입하여 200 bar 이상으로 가압함으로써 초임계 상태를 6~12시간 동안 유지하는 단계;(제4단계) 상기 반응기의 온도를 하강하는 단계; 및 (제5단계) 상기 반응기로부터 미반응물을 배출하여 반응생성물을 회수하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자량분포(Mw/Mn) 1
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 사이클로실록산 화합물은 헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산, 데카메틸사이클로펜타실록산 및 도데카메틸사이클로헥사실록산 중 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 디메티콘의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 반응기에 말단에 비닐기를 포함한 실록산 화합물이 더 주입되는 것을 특징으로 하는 디메티콘의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 말단에 비닐기를 포함한 실록산 화합물은 1,3-디비닐테트라메틸디실록산인 것을 특징으로 하는 디메티콘의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 산촉매는 에틸설페이트, 트리플릭에시드, 하이포아염소산, 염소산 및 과염소산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 디메티콘의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제5단계의 반응생성물은 하이드록실디메틸디메티콘 및 비닐디메틸디메티콘 중 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 디메티콘의 제조방법
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