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기판;상기 기판 상에 형성되고, 전도성 유화제 및 전도성 물질의 중합체를 포함하는 전극부; 및상기 기판 상에 형성된 저항 패턴부;를 포함하고, 상기 전극부는 상기 전도성 유화제 및 상기 전도성 물질과 고분자의 공중합체를 포함하며,상기 저항 패턴부는 상기 전도성 물질이 분해되어 생성된 것인, 가변저항소자
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제 1 항에 있어서,상기 저항 패턴부는 물과 접촉하여 전기저항이 감소하는 것인, 가변저항소자
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제 1 항에 있어서,상기 가변저항소자는 물에 잠긴 깊이에 따라 상이한 전기저항을 가지는 것인, 가변저항소자
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자는 알코올성 고분자를 포함하고, 상기 전극부는 상기 알코올성 고분자와 상기 전도성 유화제 간의 그라프트 공중합체를 포함하는 것인, 가변저항소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3-메틸 티오펜), 폴리(3-헥실 티오펜), 폴리옥틸티오펜, 폴리 풀러렌, 폴리 아세틸렌, 폴리퓨란, 폴리 페닐렌 설파이드, 폴리(페닐렌-비닐렌), 폴리(티에닐렌-비닐렌) 및 폴리 설퍼-나이트라이드에서 선택된 고분자를 포함하는 것인, 가변저항소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 유화제는 폴리스티렌 술포네이트, 4-톨루엔 설폰산, 1-나프탈렌 설폰산, 도데실벤젠설폰산, 폴리비닐설폰산, 폴리스티렌설폰산, 폴리아크릴산 및 폴리메타크릴산에서 선택된 것을 포함하는 것인, 가변저항소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리에테르설폰, 폴리스타일렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리틸렌테레프탈레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리디메틸실록산, 폴리페닐설파이드 및 폴리에테르에테르케톤에서 선택된 것을 포함하는 것인, 가변저항소자
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기판 상에 전도성 유화제 및 전도성 물질의 중합체를 포함하는 전극부를 형성하는 단계; 및상기 전극부 상에 레이저를 이동시키며 조사하여 저항 패턴부를 형성하는 단계;를 포함하고
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제 9 항에 있어서,상기 레이저는 적외선(IR) 영역대의 파장을 가지는 것인, 가변저항소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 레이저의 조사 강도 및/또는 시간에 따라 상기 저항 패턴부의 전기저항이 조절되는 것인, 가변저항소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 전극부는 상기 중합체를 포함하는 용액을 스핀코팅, 바코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅 및 전기분무에서 선택된 방법에 의해 형성하는 것인, 가변저항소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 전도성 유화제는 폴리스티렌 술포네이트, 4-톨루엔 설폰산, 1-나프탈렌 설폰산, 도데실벤젠설폰산, 폴리비닐설폰산, 폴리스티렌설폰산, 폴리아크릴산 및 폴리메타크릴산에서 선택된 것을 포함하는 것인, 가변저항소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 전도성 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3-메틸 티오펜), 폴리(3-헥실 티오펜), 폴리옥틸티오펜, 폴리 풀러렌, 폴리 아세틸렌, 폴리퓨란, 폴리 페닐렌 설파이드, 폴리(페닐렌-비닐렌), 폴리(티에닐렌-비닐렌) 및 폴리 설퍼-나이트라이드에서 선택된 것을 포함하는 것인, 가변저항소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 가변저항소자를 포함하는,수위 센서
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제 16 항에 있어서,상기 수위 센서는 실시간으로 수위를 모니터링하는 것인, 수위 센서
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