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1
제 1 전극; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 발광물질층을 포함하고, 상기 발광물질층은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 발광물질층과, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 2 발광물질층을 포함하고, 상기 제 1 발광물질층은 제 1 화합물, 제 2 화합물 및 제 3 화합물을 포함하고, 상기 제 2 발광물질층은 제 4 화합물 및 제 5 화합물을 포함하며, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하며, 상기 제 4 화합물은 하기 화학식 9의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 최저준위비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUMO) 에너지 준위(LUMOH1)와 상기 제 2 화합물의 최고준위점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) 에너지 준위(HOMOTD)는 하기 식 (1)을 충족하는 유기발광다이오드
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3
제 1항에 있어서, 상기 제 3 화합물 및 상기 제 5 화합물은 각각 하기 화학식 5 또는 하기 화학식 7의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 2의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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5
제 1항에 있어서, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 4의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 제 4 화합물은 하기 화학식 10의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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7
제 1항에 있어서, 상기 제 3 화합물 및 상기 제 5 화합물은 각각 하기 화학식 6의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물 또는 하기 화학식 8의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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8
제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이에 위치하는 전자차단층을 더욱 포함하고, 상기 제 1 화합물의 HOMO 에너지 준위(HOMOH1)와 상기 전자차단층을 구성하는 물질의 HOMO 에너지 준위(HOMOEBL)는 하기 식 (2)를 충족하는 유기발광다이오드
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| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1TD)는 상기 제 3 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1FD1)보다 높은 유기발광다이오드
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10
제 1항에 있어서, 상기 제 4 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1H2)는 상기 제 5 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(S1FD2)보다 높고, 상기 제 4 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(T1H2)는 상기 제 5 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(T1FD2)보다 낮은 유기발광다이오드
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11
제 1 전극; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 발광물질층을 포함하고, 상기 발광물질층은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 발광물질층과, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 2 발광물질층을 포함하고, 상기 제 1 발광물질층은 제 1 화합물, 제 2 화합물 및 제 3 화합물을 포함하고, 상기 제 2 발광물질층은 제 4 화합물 및 제 5 화합물을 포함하며, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하고, 상기 제 4 화합물은 하기 화학식 9의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하며, 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1TD)와 여기 삼중항 에너지 준위(T1TD)의 차이(ΔESTTD)는 0
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12
제 11항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 최저준위비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUMO) 에너지 준위(LUMOH1)와 상기 제 2 화합물의 최고준위점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) 에너지 준위(HOMOTD)는 하기 식 (1)을 충족하는 유기발광다이오드
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13
제 11항에 있어서, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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14
제 11항에 있어서, 상기 제 3 화합물 및 상기 제 5 화합물은 각각 하기 화학식 5 또는 하기 화학식 7의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
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15
제 11항에 있어서, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이에 위치하는 전자차단층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드
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16
제 15항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 HOMO 에너지 준위(HOMOH1)와 상기 전자차단층을 구성하는 물질의 HOMO 에너지 준위(HOMOEBL)는 하기 식 (2)를 충족하는 유기발광다이오드
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17
제 11항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1H1)와 여기 삼중항 에너지 준위(T1H1)는 각각 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1TD)와 여기 삼중항 에너지 준위(T1TD)보다 높은 유기발광다이오드
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18
제 11항에 있어서, 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1TD)는 상기 제 3 화합물의 여기 단일항 에너지 준위(S1FD1)보다 높은 유기발광다이오드
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19
제 11항에 있어서, 상기 제 4 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(S1H2)는 상기 제 5 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(S1FD2)보다 높고, 상기 제 4 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(T1H2)는 상기 제 5 화합물의 여기 삼중항 에너지 준위(T1FD2)보다 낮은 유기발광다이오드
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20
기판; 및상기 기판 상에 위치하며, 청구항 제 1항 내지 제 19항 중에서 어느 하나의 청구항에 기재된 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치
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