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하기 화학식 1을 만족하는 제1전구체 및 하기 화학식 2를 만족하는 제2전구체를 포함하는 원료와 유기 용매를 함유하는 반응액을 가열하여 금속 불화물계 형광체를 제조하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 불화물계 형광체는 하기 화학식 3을 만족하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 유기 용매의 종류를 제어하여, 제조되는 금속 불화물계 형광체의 조성을 제어하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 유기 용매는 C4 내지 C30 지방족 아민이며, 상기 금속 불화물계 형광체는 하기 화학식 3-1을 만족하는 방법
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제 4항에 있어서,상기 유기 용매는 C10 내지 C30 지방족 아민인 방법
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제 4항에 있어서,상기 지방족 아민은 끓는점(boiling point, 1atm)이 250℃ 이상인 방법
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제 6항에 있어서,상기 지방족 아민은 트리옥틸아민, 다이옥틸아민, 올레일아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 도데실아민, 또는 이들의 혼합물인 방법
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제 1항에 있어서,상기 유기 용매는 C4 내지 C30 지방산이며, 상기 금속 불화물계 형광체는 하기 화학식 3-2를 만족하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 지방산은 끓는점(boiling point, 1atm)이 250℃ 이상인 방법
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제 9항에 있어서,상기 지방산은 펠라르곤산, 카프르산, 운데실산, 라우르산, 미리스트산, 펜타데칸산, 팔미트산, 스테아르산, 아라키드산, 베헨산, 스테아리돈산, 에이코사펜타엔산, 도코사핵사엔산, 파울린산, 올레산, 엘라이드산, 에루스산 또는 이들의 혼합물인 방법
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11
제 1항에 있어서,상기 원료는 망간전구체인 제3전구체를 더 포함하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 방법은 불산을 사용하지 않는 방법
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13
제 1항에 있어서,상기 가열시 온도는 250 내지 500℃인 방법
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제 1항에 있어서,상기 원료에 함유된 제1전구체 : 제2전구체의 몰비는 1 : 2 내지 10인 방법
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15
제 1항에 있어서,상기 반응액으로부터 제조된 금속 불화물계 형광체를 세척하고 건조하는 단계;를 더 포함하는 방법
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16
제 1항에 있어서,상기 반응액에 함유된 제1전구체 : 유기용매의 몰비는 1 : 1 내지 100인 방법
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제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 금속 불화물계 형광체
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