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기판; 및상기 기판 상에 배치된 단일층 또는 소수층(few-layer)의 2차원 니오븀 디셀레나이드(NbSe2) 박막;을 포함하고,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 두께는 300 내지 900 nm 이며,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 평균 시트 저항은 1
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기판; 및 상기 기판 상에 배치된 단일층 또는 소수층(few-layer)의 2차원 니오븀 디셀레나이드(NbSe2) 박막;을 포함하고,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 두께는 800 내지 900 nm 이고, 상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 너비는 7 내지 13mm 이며, 상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 길이는 5 내지 12 mm 인 것을 특징으로 하는,무선 주파수 안테나 구조체
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제1 또는 2항에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 종이(Paper), 천(Cloth) 및 단열 막(Insulating Membrane) 중에서 선택된 어느 하나인,무선 주파수 안테나 구조체
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제2항에 있어서,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 공진 주파수는 2
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니오븀 디셀레나이드(NbSe2)에 알칼리 금속 화합물을 첨가하여, 적어도 하나의 층에 알칼리 금속 이온이 인터칼레이션된(intercalation) 니오븀 디셀레나이드를 제조하는 제1 단계;상기 알칼리 금속 이온이 인터칼레이션된 니오븀 디셀레나이드를 박리시켜, 단일층(single layer) 또는 소수층(few-layer)을 갖는 2차원 니오븀 디셀레나이드 나노시트를 제조하는 제2 단계; 및기판 표면에 상기 2차원 니오븀 디셀레나이드 나노시트 콜로이드 용액을 스프레이 코팅하여, 상기 기판 상에 2차원 니오븀 디셀레나이드 박막을 형성하는 제3 단계;를 포함하는,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 두께는 300 내지 900 nm 이며,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 평균 시트 저항은 1
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니오븀 디셀레나이드(NbSe2)에 알칼리 금속 화합물을 첨가하여, 적어도 하나의 층에 알칼리 금속 이온이 인터칼레이션된(intercalation) 니오븀 디셀레나이드를 제조하는 제1 단계;상기 알칼리 금속 이온이 인터칼레이션된 니오븀 디셀레나이드를 박리시켜, 단일층(single layer) 또는 소수층(few-layer)을 갖는 2차원 니오븀 디셀레나이드 나노시트를 제조하는 제2 단계; 및기판 표면에 상기 2차원 니오븀 디셀레나이드 나노시트 콜로이드 용액을 스프레이 코팅하여, 상기 기판 상에 2차원 니오븀 디셀레나이드 박막을 형성하는 제3 단계;를 포함하고,상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 두께는 800 내지 900 nm 이고, 상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 너비는 7 내지 13 mm 이며, 상기 니오븀 디셀레나이드 박막의 길이는 5 내지 12 mm 인 것을 특징으로 하는,무선 주파수 안테나 구조체의 제조방법
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제7 또는 8항에 있어서,상기 알칼리 금속 이온은 리튬(Lithium), 나트륨(sodium) 및 칼륨(Potassium) 중에서 선택된 어느 하나인 것인,무선 주파수 안테나 구조체의 제조방법
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제7 또는 8항에 있어서,상기 박리는 초음파 처리하여 수행되는 것인,무선 주파수 안테나 구조체의 제조방법
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제7 또는 8항에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 종이(Paper), 천(Cloth) 및 단열 막(Insulating Membrane) 중에서 선택된 어느 하나인,무선 주파수 안테나 구조체의 제조방법
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제7 또는 8항에 있어서,상기 제 3단계 이후에, 100 내지 500 ℃에서 어닐링(annealing)하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,무선 주파수 안테나 구조체의 제조방법
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