| 1 |
1
어느 일면에 몰리브덴층(Mo layer)을 구비하는 기판을 준비하는 단계;상기 몰리브덴층의 적어도 어느 일부를 선택적으로 제거하여 씨스루(see-through) 패턴을 형성하는 단계;상기 씨스루 패턴이 형성된 상기 기판과 상기 몰리브덴층 상에 칼코지나이드 광흡수층, 버퍼층 및 투명전극층을 순차적으로 형성하는 단계; 및상기 기판의 하면에서 상기 투명전극층 방향으로 레이저를 조사하여, 상기 씨스루 패턴 영역 상에 형성된 상기 칼코지나이드 광흡수층, 버퍼층 및 투명전극층을 제거하여 상기 씨스루 패턴의 형상에 따른 씨스루 어레이(see-through array)를 형성하는 단계;를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 패턴을 형성하는 단계는,레이저 가공 방법으로 상기 몰리브덴층의 일부를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하고, 상기 레이저는 상기 기판을 투과하며 상기 몰리브덴층이 흡수 가능한 파장 대역의 광원을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 어레이(see-through array)를 형성하는 단계는,레이저 가공 방법으로 상기 씨스루 패턴 영역 상에 형성된 상기 칼코지나이드 광흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 투명전극층의 일부를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 레이저는 상기 기판을 투과하며 상기 칼코지나이드 광흡수층이 흡수 가능한 파장 대역의 레이저 광원을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 어레이를 형성하는 단계에서 사용되는 레이저 광의 세기는, 상기 몰리브덴층, 칼코지나이드 광흡수층, 버퍼층 및 투명전극층을 동시에 패터닝하기 위한 임계(threshold) 에너지보다 상대적으로 더 낮은, 씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 어레이를 형성하는 단계에서 사용되는 레이저 광의 세기는, 상기 씨스루 패턴이 형성된 영역의 상기 칼코지나이드 광흡수층, 버퍼층 및 투명전극층을 동시에 패터닝하기 위한 임계 에너지보다 상대적으로 더 높은,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 어레이를 형성하는 단계는,상기 어느 일면에 몰리브덴층을 구비하는 기판의 타면에 상기 레이저 광원을 입사시켜, 상기 기판의 전 영역 또는 상기 씨스루 패턴이 형성된 영역 부근에 스캔하여 상기 씨스루 어레이를 형성하는 단계를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 어레이를 형성하는 단계는,상기 레이저 광원의 빔 크기를 복수개의 씨스루 어레이를 포함할 수 있도록 증가시켜, 상기 기판의 전 영역 또는 상기 씨스루 패턴이 형성된 영역 부근에 스티치(stitch) 방식으로 상기 빔 크기가 허용되는 범위에서 한 번에 조사하여 복수개의 상기 씨스루 어레이를 형성하는 단계를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 어레이는 홀(hole) 또는 라인(line) 형태의 패턴을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 홀의 직경 또는 상기 라인의 폭은 200㎛ 이하(0초과)인,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 홀의 직경 또는 상기 라인의 폭은 100㎛ 이하(0초과)인,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 씨스루 패턴은 상기 몰리브덴층을 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P1 스크라이빙 패턴과 동시에 형성되는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성한 이후에, 상기 칼코지나이드 광흡수층 및 상기 버퍼층의 적어도 어느 일부를 제거하되, 상기 P1 스크라이빙 패턴을 기준으로 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P2 스크라이빙 패턴을 형성하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 투명전극층을 형성한 이후에, 상기 투명전극층의 적어도 어느 일부를 제거하되, 상기 P2 스크라이빙 패턴을 기준으로 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P3 스크라이빙 패턴을 형성하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 씨스루 어레이는 상기 P1 스크라이빙 패턴, 상기 P2 스크라이빙 패턴 및 상기 P3 스크라이빙 패턴 라인과 서로 수직한 방향으로 형성되는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 15 |
15
제 13 항에 있어서,상기 씨스루 어레이는 모듈의 끝에서 끝까지 연결된, 또는 부분적으로 끊어진 형태로서, 일정한 폭을 갖는 밴드 형태로 형성된,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 16 |
16
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS, Zn(O,S), Sn-doped ZnOx, Ti-doped ZnOx, i-ZnOx 및 Mg-doped ZnOx, (Mg,Al)-doped ZnOx 중 어느 하나를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 17 |
17
제 1 항에 있어서,상기 투명전극층은 In-doped SnOx, Al-doped ZnOx, In-doped ZnOx, Ga-doped ZnOx, B-doped ZnOx, Ag nanowire, graphene, carbon nanotube, Ag, Mg:Ag 합금, Au 및 OMO(metal oxide/thin metal/metal oxide) 구조의 전극재료 중 어느 하나를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 18 |
18
제 1 항에 있어서,상기 몰리브덴층 상에 투명 산화물 전극층을 더 형성하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 19 |
19
제 1 항 또는 제 18 항에 있어서,상기 기판과 상기 몰리브덴층 사이에 투명 산화물 전극층을 더 개재하는, 씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 투명 산화물 전극층은 In-doped SnOx, F-doped SnOx, Al-doped ZnOx, In-doped ZnOx, Ga-doped ZnOx, (In,Ga)-doped ZnOx, (Al,Mg)-doped ZnOx 및 B-doped ZnOx 중 어느 하나 이상을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 21 |
21
제 18 항에 있어서,상기 투명 산화물 전극층은 컨택홀(contact hole)을 구비하는,씨스루형 박막 태양전지의 제조방법
|
| 22 |
22
제 18 항에 있어서,상기 투명 산화물 전극층의 두께는 0
|
| 23 |
23
어느 일면에 몰리브덴층(Mo layer)을 구비하는 기판;상기 몰리브덴층 상에 형성된 칼코지나이드 광흡수층;상기 칼코지나이드 광흡수층 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성된 투명전극층; 및상기 몰리브덴층, 상기 칼코지나이드 광흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 투명전극층의 적어도 어느 일부가 선택적으로 제거되어 관통된 씨스루 어레이;를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서,상기 몰리브덴층과 상기 칼코지나이드 광흡수층 사이에 투명 산화물 전극층이 더 개재된,씨스루형 박막 태양전지
|
| 25 |
25
제 23 항 또는 제 24항에 있어서,상기 기판과 상기 몰리브덴층 사이에 투명 산화물 전극층이 더 개재된,씨스루형 박막 태양전지
|
| 26 |
26
제 24 항에 있어서,상기 투명 산화물 전극층은 컨택홀(contact hole)을 구비하는,씨스루형 박막 태양전지
|
| 27 |
27
제 23 항에 있어서,상기 씨스루 어레이는 홀(hole) 또는 라인(line) 형태의 패턴을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지
|
| 28 |
28
제 27 항에 있어서,상기 홀의 직경 또는 상기 라인의 폭은 200㎛ 이하(0초과)인,씨스루형 박막 태양전지
|
| 29 |
29
제 27 항에 있어서,상기 홀의 직경 또는 상기 라인의 폭은 100㎛ 이하(0초과)인,씨스루형 박막 태양전지
|
| 30 |
30
제 23 항에 있어서,상기 씨스루 어레이는 상기 몰리브덴층을 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P1 스크라이빙 패턴, 상기 P1 스크라이빙 패턴을 기준으로 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P2 스크라이빙 패턴 및 상기 P2 스크라이빙 패턴을 기준으로 오프셋하여 스트립 형태로 분할하는 P3 스크라이빙 패턴 라인과 서로 수직한 방향으로 형성된,씨스루형 박막 태양전지
|
| 31 |
31
제 23 항에 있어서,상기 씨스루 어레이는 모듈의 끝에서 끝까지 연결된, 또는 부분적으로 끊어진 형태로서, 일정한 폭을 갖는 밴드 형태로 형성된,씨스루형 박막 태양전지
|
| 32 |
32
제 23 항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS, Zn(O,S), Sn-doped ZnOx, Ti-doped ZnOx, i-ZnOx 및 Mg-doped ZnOx, (Mg,Al)-doped ZnOx 중 어느 하나를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지
|
| 33 |
33
제 23 항에 있어서,상기 투명전극층은 In-doped SnOx, Al-doped ZnOx, In-doped ZnOx, Ga-doped ZnOx, B-doped ZnOx, Ag nanowire, graphene, carbon nanotube, Ag, Mg:Ag 합금, Au 및 OMO(metal oxide/thin metal/metal oxide) 구조의 전극재료 중 어느 하나를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지
|
| 34 |
34
제 24 항에 있어서,상기 투명 산화물 전극층은 In-doped SnOx, F-doped SnOx, Al-doped ZnOx, In-doped ZnOx, Ga-doped ZnOx, (In,Ga)-doped ZnOx, (Al,Mg)-doped ZnOx 및 B-doped ZnOx 중 어느 하나 이상을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지
|
