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금속나노와이어 전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2021005166
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토리소그래피와 같이 고가의 패터닝 장비를 이용하지 않더라도 품질의 신뢰성을 높일 수 있는 금속나노와이어 전극 제조방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 마스터기판 상에 금속나노와이어층을 배치하는 금속나노와이어층 배치단계; 상기 금속나노와이어층을 향하여 음각 패터닝된 스탬프를 압착 및 분리시키며 상기 금속나노와이어층에서 비패턴 영역을 제거하는 패턴 형성단계; 패턴이 형성된 상기 금속나노와이어층 상에 폴리머 및 기판을 차례로 배치하고, 상기 폴리머 내부에 상기 금속나노와이어층이 매립되는 동시에 상기 폴리머와 상기 기판이 접합되도록 상기 기판을 가압하는 기판 가압단계; 상기 폴리머를 경화시키는 폴리머 경화단계; 및 상기 금속나노와이어층이 매립된 전극필름으로부터 상기 마스터기판을 분리하는 마스터기판 분리단계를 포함하는 특징을 개시한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0033(2013.01) H01L 31/0224(2013.01)
출원번호/일자 1020190135872 (2019.10.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0051073 (2021.05.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉성 경기도 안산시 상록구
2 김재현 대전광역시 유성구
3 김광섭 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박진호 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 **, *층(서초동,돔빌딩)(지율특허법률사무소)
2 이재명 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 **, *층(서초동,돔빌딩)(지율특허법률사무소)
3 김태완 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 **, *층(서초동,돔빌딩)(지율특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-1108161-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0065107-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0290477-97
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
마스터기판 상에 금속나노와이어층을 배치하는 금속나노와이어층 배치단계;상기 금속나노와이어층을 향하여 음각 패터닝된 스탬프를 압착 및 분리시키며 상기 금속나노와이어층에서 비패턴 영역을 제거하는 패턴 형성단계;패턴이 형성된 상기 금속나노와이어층 상에 폴리머 및 기판을 차례로 배치하고, 상기 폴리머 내부에 상기 금속나노와이어층이 매립되는 동시에 상기 폴리머와 상기 기판이 접합되도록 상기 기판을 가압하는 기판 가압단계;상기 폴리머를 경화시키는 폴리머 경화단계; 및상기 금속나노와이어층이 매립된 전극필름으로부터 상기 마스터기판을 분리하는 마스터기판 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어 전극 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속나노와이어층 형성단계는,상기 마스터기판 상에 금속나노와이어가 포함된 금속나노와이어 용액을 도포하는 용액 도포단계; 및상기 금속나노와이어 용액을 미리 설정된 조건에 따라 건조시키며 용매를 제거하는 용액 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어 전극 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속나노와이어층 형성단계 이전에 수행되고,상기 전극필름과 상기 마스터기판이 격리되도록 상기 마스터기판의 일면을 표면 처리하는 마스터기판 표면처리단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 금속나노와이어 전극 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 마스터기판 표면처리단계는,상기 마스터기판의 일면에 상기 전극필름과는 상반되는 표면 특성을 가지는 이형성 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어 전극 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 폴리머는 특정 파장대의 레이저 빔에 반응하는 광경화성 폴리머 또는 특정 온도의 열에서 반응하는 열경화성 폴리머인 것을 특징으로 하는 금속나노와이어 전극 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 투명소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속나노와이어 전극 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 패턴 형성단계 이후에 수행되고,상기 스탬프 상에 존재하는 비패턴 영역의 금속나노와이어층을 제거하는 스탬프 재사용 준비단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어 전극 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 스탬프의 패터닝 영역은 탄성계수가 10Mpa 이하의 소재를 포함한 복합구조체로 이루어진 것을 특징으로 금속나노와이어 전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원 주요사업 차세대 유연 투명 디스플레이 나노기반 제조 핵심 기술 개발 (2/3)
2 미래창조과학부 한국기계연구원 미래부-국가연구개발사업(III) Micro-LED 기반 메타 디스플레이 기술 개발 (1/5)