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GaN계 합금을 포함하고, 태양광을 흡수하는 광전극; 및상기 광전극의 일면에 위치하고, 상기 광전극을 투과하는 태양광을 흡수하여 가시광을 발광하는 형광체 구조층을 포함하고, 상기 형광체 구조층은 실리콘성형체 및 상방전환 발광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘성형체는 PDMS(poly dimethyl siloxane)인 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 상방전환 발광체는 450 nm 내지 650 nm의 파장범위에서 발광피크를 가지는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 상방전환 발광체는 YAG:Ce3+, β-SiAlON 및 YAG:Ce3+와 β-SiAlON을 포함하는 복합 발광체 중 하나인 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 GaN계 합금은 In-GaN계 합금, InN-GaN계 합금, AlN-GaN계 합금, GaAsN-GaN계 합금, GaP-GaN계 합금, InGaN-GaN계 합금, AlGaN-GaN계 합금, 및 InAlGaN-GaN계 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 형광체 구조층은 상기 상방전환 발광체 및 상기 실리콘성형체가 혼합된 혼합층인 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 형광체 구조층은 상기 상방전환 발광체를 포함하는 발광층이 상기 실리콘성형체의 일면에 위치하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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GaN계 합금을 포함하는 광전극을 준비하는 단계;실리콘성형체 및 상방전환 발광체를 포함하는 형광체 구조층을 형성하는 단계; 및상기 형광체 구조층을 상기 광전극의 일면에 제공하는 단계;를 포함하는 광전기화학셀용 광전극 구조체의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 실리콘성형체는 PDMS(poly dimethyl siloxane)인 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 상방전환 발광체는 450 nm 내지 650 nm의 파장범위에서 발광피크를 가지는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 8 항에 있어서, 상기 상방전환 발광체는 YAG:Ce3+, β-SiAlON 및 YAG:Ce3+와 β-SiAlON을 포함하는 복합 발광체 중 하나인 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 GaN계 합금은 In-GaN계 합금, InN-GaN계 합금, AlN-GaN계 합금, GaAsN-GaN계 합금, GaP-GaN계 합금, InGaN-GaN계 합금, AlGaN-GaN계 합금, 및 InAlGaN-GaN계 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 형광체 구조층을 형성하는 단계는,실리콘성형체를 준비하는 단계; 및상방전환 발광체와 상기 실리콘성형체를 혼합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체의 제조방법
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제 8 항에있어서,상기 형광체 구조층을 형성하는 단계는,실리콘성형체 및 상방전환 발광체가 포함된 발광층을 준비하는 단계; 및상기 발광층을 상기 실리콘성형체 일면에 제공하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀용 광전극 구조체의 제조방법
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제 1 항의 광전극 구조체를 포함하는 광전기화학셀
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