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고융점 분말을 준비하는 단계;상기 고융점 분말을 분쇄하는 단계;상기 분쇄된 고융점 분말을 용매, 분산제 및 환원제가 혼합된 용액에 투입 및 교반하는 단계; 및상기 교반된 용액을 플라즈마 용사기에 공급하여 탄소 함유 소재의 표면에 고순도 고융점 세라믹 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고융점 분말은, 융점이 3000 ℃ 이상인 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고융점 분말은, HfC, TaC, ZrC, HfB2, TaB2, ZrB2, HfN, TaN 및 ZrN로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고융점 분말을 준비하는 단계에서의 상기 고융점 분말의 입경은, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고융점 분말을 분쇄하는 단계는,고에너지 볼밀을 이용하여 상기 고융점 분말의 입경을 10 nm 내지 500 nm로 분쇄하는 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 용매는, 상기 용액 중 20 중량% 내지 80 중량%이고,상기 분쇄된 고융점 분말은, 상기 용액 중 20 중량% 내지 80 중량%인 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 분산제는, 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine, PEI), 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 글리세롤 모노스테아레이트(glycerol monostearate), 소르비탄 모노올레이트(sorbitan monooleate), 소르비탄트리올리에이트(PEO(20)-Sorbitan Monooleate, Tween 80), 폴리메틸아크릴레이트(Polymethylacrylate, PMA), 메틸 셀룰로오스(Methyl cellulose, MC), 카르복실 메틸 셀룰로오스(Carboxyl methyl cellulose, CMC), 아라비아고무(Gum Arabic, GA), 다당류(Polysaccharide (Dextrin), 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP) 및 폴리에틸렌 옥사이드(Polyethylene oxide, PEO)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 분산제는, 상기 용액 중 0
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제1항에 있어서,상기 환원제는, 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene), 그라파이트 나노플레이틀릿(graphite nanoplatelet), 그래핀 나노플레이틀릿(graphene nanoplatelet), 팽창 흑연(expanded graphite), 다이아몬드(diamond), 풀러렌(fullerene), 카본 블랙(carbon black), 활성탄(active carbon), 숯(charcoal), 탄소 나노리본(carbon nanoribon), 탄소 나노와이어(carbon nanowire), 탄소 나노클레이(carbon nanoclay), 탄소 나노튜브(carbon nanotube), 피치계 탄소 섬유(pitch carbon fiber), 탄소 나노 섬유(carbon nano fiber) 및 탄소 유리 섬유(carbon glass fiber)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 환원제는, 상기 용액 중 0
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 용사기는 진공 플라즈마 용사기인 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 용사기는 30 Kwatt 내지 60 Kwatt의 전력을 출력 에너지로 사용하고,상기 플라즈마 용사기의 연료가스는, 아르곤, 질소, 수소 및 헬륨으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 용사기의 하기 식에 의한 임계 플라즈마 공정변수(critical plasma spray parameter; CPSP)는 1000 내지 3000인 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법:[식]CPSP = 전압[V]×전류[A]/프라이머리 가스(Ar) 유량[SLM]
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제1항에 있어서,상기 고순도 고융점 세라믹 코팅층은 미세 스플랫이 적층된 치밀 세라믹층인 것인,고순도 고융점 세라믹 코팅층 형성 방법
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탄소 함유 소재; 및상기 탄소 함유 소재 상에 코팅된 고순도 고융점 세라믹 코팅층;을 포함하는,내열소재
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제15항에 있어서,상기 탄소 함유 소재는, 탄화규소계 부정형 세라믹 재료, 탄소계 부정형 재료, 탄화규소를 포함하는 세라믹 매트릭스 복합재료 및 C/C 복합재료로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,내열소재
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제15항에 있어서,상기 고순도 고융점 세라믹 코팅층은, HfC, TaC, ZrC, HfB2, TaB2, ZrB2, HfN, TaN 및 ZrN로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 고순도 고융점 세라믹 코팅층의 두께는 5 ㎛ 내지 100 ㎛인 것인,내열소재
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제15항에 있어서,상기 고순도 고융점 세라믹 코팅층은 미세 스플랫이 적층된 치밀 세라믹층인 것인,내열소재
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제15항에 있어서,상기 고순도 고융점 세라믹 코팅층은 기공도가 1 % 이하이고, 치밀도가 90 % 이상인 것인,내열소재
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