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코팅층이 형성된 입방정 질화붕소 입자로서,상기 코팅층은 상기 입방정 질화붕소 입자의 표면에 형성되는 제1코팅층; 및상기 제1코팅층 위에 형성되는 제2코팅층;을 포함하는 입방정 질화붕소 입자
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제1항에 있어서,상기 제2코팅층은 상기 제1코팅층보다 두꺼운 입방정 질화붕소 입자
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제2항에 있어서,상기 제2코팅층은 상기 제1코팅층의 두께의 2 내지 10배의 두께로 형성되는 입방정 질화붕소 입자
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제3항에 있어서,상기 제1코팅층은 Ti 또는 Al의 질화물, 붕화물 또는 붕질화물을 포함하며,상기 제2코팅층은 Ti, Si, Al, Cr, Y, Nb, V, W, Mo 및 Zr 으로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 질화물, 붕화물 또는 붕질화물을 포함하는 입방정 질화붕소 입자
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제4항에 있어서,상기 제2코팅층은 Ti, Si, Al, Cr, Y, Nb, V, W, Mo 및 Zr 으로 구성되는 군에서 선택되고 상기 제1코팅층에 포함되지 않는 적어도 하나 이상의 원소가 포함되는 합금계 질화물, 붕화물 또는 붕질화물을 포함하는 입방정 질화붕소 입자
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제5항에 있어서,상기 제1코팅층의 표면을 평탄화하기 위한 표면처리된 입방정 질화붕소 입자
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제6항에 있어서,상기 제1코팅층의 두께는 1nm 내지 50nm인 입방정 질화붕소 입자
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제7항에 있어서,상기 제2코팅층의 두께는 1 nm 내지 200 nm인 입방정 질화붕소 입자
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제8항에 있어서,상기 제1코팅층이 형성되는 면적은 상기 입방정 질화붕소 입자 표면의 40 내지 100%인 입방정 질화붕소 입자
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제9항에 있어서,상기 제2코팅층이 형성되는 면적은 상기 입방정 질화붕소 입자 표면의 70 내지 100%인 입방정 질화붕소 입자
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제10항에 있어서,상기 입방정 질화붕소 입자는 평균직경이 1μm 내지 10μm인 입방정 질화붕소 입자
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제11항에 있어서,상기 제1코팅층은 상기 표면처리에 의해 두께의 최대값과 최소값의 차이가 0 내지 20nm로 조절되는 입방정 질화붕소 입자
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제12항에 있어서,상기 제1코팅층은 볼 밀링(Ball-milling), 고에너지 볼 밀링(High energy ball-milling) 또는 수평식 볼 밀링(Planetary ball-milling)에 의해 표면처리되는 입방정 질화붕소 입자
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입방정 질화붕소 입자의 표면을 처리하는 전처리단계;제1코팅층을 구성하는 코팅물질의 전구체를 포함하는 물질을 준비하는 제1전구체 준비단계;상기 입방정 질화붕소 입자의 표면에 상기 제1전구체로부터 제1코팅층을 형성하는 제1코팅층 형성단계;상기 제1코팅층의 표면을 처리하는 코팅층 처리단계; 및상기 제1코팅층 위에 제2코팅층을 형성하는 제2코팅층 형성단계;를 포함하는 다층 코팅된 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제1코팅층 형성단계는 500℃ 내지 1300℃의 온도범위에서 1시간 내지 2시간동안 진행되는 다층 코팅된 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 코팅층 처리단계는 볼밀링(Ball-milling), 고에너지 볼 밀링(High energy ball-milling) 또는 수평식 볼밀링(Planetary ball-milling) 공정을 포함하는 다층 코팅된 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 제1전구체 준비단계 및 상기 제2전구체 준비단계는 할로겐화물, 산화물, 알콕사이드, 질산염 또는 초산염의 전구체 물질을 준비하는 단계인 다층 코팅된 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 제1코팅층은 Ti 또는 Al의 질화물, 붕화물 또는 붕질화물을 포함하는 다층 코팅된 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 제2코팅층은 Ti, Si, Al, Cr, Y, Nb, V, W, Mo 및 Zr 으로 구성되는 군에서 선택되고 상기 제1코팅층에 포함되지 않는 적어도 하나 이상의 원소가 포함되는 합금계 질화물, 붕화물, 붕질화물을 포함하는 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 제2전구체 준비단계는 상기 제1전구체 준비단계와 다른 금속을 포함하는 전구체를 포함하여 준비하는 단계인 다층 코팅된 입방정 질화붕소 입자의 제조방법
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 입방정 질화붕소 입자 및 바인더를 혼합하여 제조되는 다결정 입방정 질화붕소 소결체
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제 21항에 있어서,상기 입방정 질화붕소 입자가 40 내지 100 vol% 비율로 상기 바인더와 혼합되어 제조되는 다결정 입방정 질화붕소 소결체
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제 22항에 있어서,상기 입방정 질화붕소 입자의 표면에 형성되는 제1코팅층 또는 상기 제1코팅층 위에 형성되는 제2코팅층은 상기 바인더 성분과 동일한 조성물을 포함하는 다결정 입방정 질화붕소 소결체
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