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본딩 헤드가 반도체 칩을 기판에 로딩하는 것;상기 본딩 헤드가 상기 반도체 칩을 가압하는 것; 및상기 반도체 칩을 가열하는 것; 을 포함하며,상기 반도체 칩을 가압하는 것은 평탄도 복원 필름이 변형되는 것을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 1 항에 있어서,상기 평탄도 복원 필름은 상기 본딩 헤드의 하면에 배치되는 상부 평탄도 복원 필름을 포함하며,상기 평탄도 복원 필름이 변형되는 것은 상기 상부 평탄도 복원 필름이 변형되는 것을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 2 항에 있어서,상기 상부 평탄도 복원 필름은 실리콘 필름을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 2 항에 있어서,상기 상부 평탄도 복원 필름이 변형되는 것은 상기 상부 평탄도 복원 필름의 일측이 상기 상부 평탄도 복원 필름의 타측보다 많이 변형되는 것을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 1 항에 있어서,상기 평탄도 복원 필름은 상기 기판을 지지하는 스테이지 상에 배치되는 하부 평탄도 복원 필름을 포함하며,상기 평탄도 복원 필름이 변형되는 것은 상기 하부 평탄도 복원 필름이 변형되는 것을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 5 항에 있어서,상기 하부 평탄도 복원 필름은 실리콘 필름을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 5 항에 있어서,상기 하부 평탄도 복원 필름이 변형되는 것은 상기 하부 평탄도 복원 필름의 일측이 상기 하부 평탄도 복원 필름의 타측보다 많이 변형되는 것을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 1 항에 있어서상기 평탄도 복원 필름이 변형되는 것은 상기 평탄도 복원 필름의 변형에 의해 상기 반도체 칩과 상기 기판의 정렬이 회복되는 것을 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 1 항에 있어서상기 가열하는 것은 레이저 가열부에 의해 수행되는 플립칩 본딩 방법
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반도체 칩을 흡착하는 본딩 헤드;상기 본딩 헤드를 가열하는 가열부;상기 본딩 헤드와 대향하며 기판을 지지하는 스테이지; 및상기 본딩 헤드와 상기 스테이지 사이에 배치되는 평탄도 복원 필름; 을 포함하되,상기 평탄도 복원 필름은 탄성을 가지는 물질을 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 10 항에 있어서,상기 평탄도 복원 필름은 상기 본딩 헤드의 하면에 배치되는 상부 평탄도 복원 필름을 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 10 항에 있어서,상기 평탄도 복원 필름은 상기 스테이지 상에 배치되는 하부 평탄도 복원 필름을 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 10 항에 있어서,상기 평탄도 복원 필름은 실리콘 필름을 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 10 항에 있어서,상기 본딩 헤드를 이동시키는 구동부; 를 더 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 10 항에 있어서,상기 평탄도 복원 필름은 250℃에 대해 내열성을 갖는 물질을 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 14 항에 있어서,상기 가열부 및 상기 구동부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 11 항에 있어서,상기 상부 평탄도 복원 필름은 광 투과성 물질을 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 17 항에 있어서,상기 가열부는 레이저 가열부를 포함하는 플립칩 본딩 장치
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제 11 항에 있어서,상기 본딩 헤드가 반도체 칩을 흡착할 수 있도록 진공압을 제공하는 진공압 생성부를 더 포함하며,상기 본딩 헤드는 상기 진공압 생성부와 연결된 헤드 관통공을 제공하고,상기 상부 평탄도 복원 필름은 상기 헤드 관통공과 연통된 필름 관통공을 제공하는 플립칩 본딩 장치
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