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InxGa1-xN으로 구비되고, 일방으로 유입되는 혼합광을 흡수하는 광전극;상기 혼합광중 상기 광전극에 흡수되지 않고 투과된 투과광을 상기 광전극으로 반사시키는 미러 반사막;상기 광전극과 전기적으로 연결되는 상대전극; 및상기 광전극과 상기 상대전극이 침지되는 전해액;을 포함하는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, 가시광 영역을 흡수하는 밴드갭(Bandgap)에너지를 가지며, 상기 미러 반사막은,가시광 영역을 선택적으로 반사하는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 미러 반사막은,적어도 두 가지 이상의 서로 다른 재질의 박막이 적층된 적층 반사막 구조인 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 3에 있어서, 상기 미러 반사막은,이산화 규소(SiO2)층 및 이산화 타이타늄(TiO2)층으로 구성되는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 4에 있어서, 상기 이산화 규소층은 85nm 내지 95nm 이며,상기 이산화 타이타늄층은 50nm 내지 60nm인 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 5에 있어서,상기 이산화 규소층 및 상기 이산화 타이타늄 층은,적어도 3층 이상으로 반복하여 적층되는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 광전극은, 표면이 NiO로 촉매처리되는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, Bulk InGaN으로 구비되며, 상기 혼합광이 조사되는 면이 나노필라(Nano pillar) 형상으로 구비되는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, 상기 혼합광이 조사되는 면의 면방향이 c면인 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은 전도성물질로 구비되는 와이어와 In에 의해 오믹컨텍되는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, Si으로 도핑되어 n형 반도체로 구비되는 미러 반사막을 이용한 고효율 광전기화학적 수소 발생 장치
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