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기판;상기 기판 상에 제공되며, 교대로 적층된 절연층들 및 하부 전극들을 포함하는 복수의 수직 구조체들, 상기 수직 구조체들은 상기 기판의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 정렬되고;상기 수직 구조체들 각각의 상면 및 측면들 상에 제공되는 상부 전극; 및상기 상부 전극 및 상기 수직 구조체들 사이에 배치되며, 상기 수직 구조체들 각각의 상면 및 측면들을 덮는 제1 유전층을 포함하되,상기 제1 유전층은 강유전 물질을 포함하는 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 수직 구조체들 각각의 상기 측면들은 제1 측면 및 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 갖되,상기 제1 유전층은 상기 수직 구조체들 각각의 상면으로부터 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 상으로 연장되어, 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면과 접촉하는 메모리 소자
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제2 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 수직 구조체들 각각의 상면 상에 제공되는 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 측면 상에 제공되는 제2 부분, 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제2 측면 상에 제공되는 제3 부분을 포함하되,상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면과 각각 평행하게 연장되는 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 강유전 물질은 티탄산 지르콘산 납(Pb(Zr1-yTiy)O3), 비스무스 페라이트(BiFeO3), 티탄산 납(PbTiO3), 하프늄 산화물(HfO2), 또는 타이타늄산 바륨(BaTiO3)을 포함하는 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 기판 상에 제공되는 제2 유전층을 더 포함하되,상기 제2 유전층은 상기 수직 구조체들 각각의 하면 및 상기 기판 사이로 연장되는 메모리 소자
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제5 항에 있어서,상기 수직 구조체들의 상면은 상기 제1 유전층으로 덮히고, 상기 수직 구조체들의 하면은 상기 제2 유전층으로 덮히는 메모리 소자
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제1 항에 있어서상기 상부 전극은 상기 하부 전극과 다른 물질을 포함하는 메모리 소자
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제7 항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극들은 전도성 산화물 또는 금속을 포함하는 메모리 소자
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제1 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 수직 구조체의 형상은 사각형인 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 제1 유전층을 덮되,상기 상부 전극은 상기 기판 상의 돌출부들을 정의하는 리세스부들을 갖는 메모리 소자
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기판 상에 공통 절연층 및 제1 유전층을 차례로 형성하는 것;상기 제1 유전층의 상면 상에 교대로 적층되는 하부 전극들 및 절연층들을 형성하는 것;상기 하부 전극들 및 상기 절연층들 상에 식각 공정을 수행하여 상기 제1 유전층의 상면을 노출시키는 수직 구조체들을 형성하는 것;상기 수직 구조체들의 측면들 및 상기 제1 유전층의 상면을 덮는 제2 유전층을 형성하는 것; 및상기 제2 유전층의 상면 프로파일을 따라 상기 제2 유전층의 상면 상에 상부 전극을 증착시키는 것을 포함하되,상기 제1 유전층은 강유전 물질을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 하부 전극들은 Cr, Ti, TiN, TaN, TiW, Co, W, LSMO, LCMO, PCMO, SrRuO3, LSCO, ITO, FTO, YBCO, RuO2, 및 LaNiO3 중 어느 하나를 포함하고,상기 상부 전극은 Au, Pt, Pd, Ag, Cu 및 Ni 중 어느 하나를 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 수직 구조체들을 형성하는 것은 상기 하부 전극들 및 상기 절연층들의 일부를 제거하여 제1 식각부를 형성하는 것을 포함하되,상기 식각 공정은 제1 유전층의 상면이 노출될 때까지 수행되고,상기 제1 식각부는 상기 수직 구조체들을 정의하는 메모리 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 제2 유전층의 상면 프로파일을 따라 상기 제2 유전층의 상면 상에 상기 상부 전극을 증착시키는 것은 전자빔 증착법, 열 기화법, 레이저 증착법, 스퍼터링 증착법, 기상화학 증착법, 또는 분자층 증착법을 이용하여 수행되는 메모리 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 강유전 물질은 티탄산 지르콘산 납(Pb(Zr1-yTiy)O3), 비스무스 페라이트(BiFeO3), 티탄산 납(PbTiO3), 하프늄 산화물(HfO2), 또는 타이타늄산 바륨(BaTiO3)을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 상부 전극을 증착시킨 후, 상기 상부 전극에 열처리 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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