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1) 세포배양기재의 표면을 플라즈마 처리하는 단계;2) 상기 플라즈마 처리된 세포배양기재에 카르복실기 또는 글리시딜기를 포함하는 실란(silane)계 화합물을 처리하여 세포배양기재 표면에 카르복실기 또는 글리시딜기를 고정하는 단계; 및3) 상기 카르복실기 또는 글리시딜기가 고정된 세포배양기재에 아민기를 포함하는 폴리이소프로필아크릴아미드(poly(N-isopropylacrylamide), PNiPAm) 용액을 처리하여 세포배양기재 표면에 폴리이소프로필아크릴아미드를 코팅하는 단계를 포함하는 세포배양기재의 표면을 형성하는 방법
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1) 세포배양기재의 표면을 플라즈마 처리하는 단계;2) 상기 플라즈마 처리된 세포배양기재에 아민기를 포함하는 실란(silane)계 화합물을 처리하여 세포배양기재 표면에 아민기를 고정하는 단계; 및3) 상기 아민기가 고정된 세포배양기재에 카르복실기 또는 글리시딜기를 포함하는 폴리이소프로필아크릴아미드(poly(N-isopropylacrylamide), PNiPAm) 용액을 처리하여 세포배양기재 표면에 폴리이소프로필아크릴아미드를 코팅하는 단계를 포함하는 세포배양기재의 표면을 형성하는 방법
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청구항 1 또는 2에 있어서, 단계 1)의 플라즈마 처리는 산소(O2) 플라즈마를 10초 내지 10분간 처리하는 것인, 방법
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청구항 1 또는 2에 있어서, 단계 2)의 카르복시기, 글리시딜기 또는 아민기 고정은 세포배양기재 표면의 히드록시기와 실란 작용기 간 자발적인 가교반응으로 형성되는 것인, 방법
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청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 실란계 화합물은 알코올, 증류수 또는 이들의 혼합 용액에 용해된 형태로 처리되는 것인, 방법
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청구항 1 또는 2에 있어서, 단계 3)의 폴리이소프로필아크릴아미드(PNiPAm) 용액은 0
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청구항 1에 있어서, 단계 3)의 폴리이소프로필아크릴아미드(PNiPAm) 코팅은 세포배양기재 표면의 카르복실기 또는 글리시딜기와 폴리이소프로필아크릴아미드의 아민기 간 자발적인 가교반응으로 형성되는 것인, 방법
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청구항 2에 있어서, 단계 3)의 폴리이소프로필아크릴아미드(PNiPAm) 코팅은 세포배양기재 표면의 아민기와 폴리이소프로필아크릴아미드의 카르복실기 또는 글리시딜기 간 자발적인 가교반응으로 형성되는 것인, 방법
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청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 폴리이소프로필아크릴아미드(PNiPAm)는 알코올, 증류수 또는 이들의 혼합 용액에 용해된 형태로 처리되는 것인, 방법
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청구항 7 또는 8에 있어서, 상기 자발적인 가교반응은 20 내지 60℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 방법
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1) 청구항 1 또는 2의 방법으로 표면 형성된 세포배양기재에 세포를 배양하는 단계; 및2) 상기 세포배양기재를 냉각하여 상기 세포배양기재의 표면에서 배양한 세포를 세포시트의 형태로 분리하는 단계를 포함하는 세포시트를 제조하는 방법
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청구항 11에 있어서, 단계 2)의 냉각은 22 내지 28℃에서 이루어지는 것인, 방법
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