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X-선 검출기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2021005684
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 X-선 검출기의 검출감도를 향상시킬 수 있는 X-선 검출기 및 그 제조방법이 개시된다. 이는 종래의 P3HT:PCBM의 혼합물질을 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출기의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출기에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지나, PBDB-T:ITIC 혼합물질을 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출기의 경우 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도가 우수하여 검출감도를 향상시킬 수 있어 X-선 영상 취득 시 피폭량을 낮출 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL H01L 27/30 (2006.01.01) G01T 1/02 (2006.01.01) G01T 1/24 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 27/308(2013.01) G01T 1/026(2013.01) G01T 1/24(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0074(2013.01) H01L 51/0001(2013.01)
출원번호/일자 1020190141652 (2019.11.07)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0055835 (2021.05.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.07)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정원 경기도 성남시 분당구
2 반대희 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-1143180-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0062054-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0278897-77
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 형성되고, 상기 기판 하부에서 발생한 가시광선을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하는 활성층;상기 활성층 상부에 형성되는 제2 전극층; 및상기 기판 하부에 형성되며, X-선을 가시광선으로 변환하는 섬광체층(scintillator)을 포함하고,상기 활성층은 공액폴리머 도너(donor)와 비플러렌 억셉터(acceptor)를 포함하는 X-선 검출기
2 2
제1항에 있어서,상기 활성층은 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성되는 것인 X-선 검출기
3 3
제2항에 있어서,상기 PBDB-T:ITIC는 PBDB-T 1중량부에 대하여 ITIC 1 내지 2 중량부를 갖는 것인 X-선 검출기
4 4
제1항에 있어서,상기 섬광체층은 CsI:Tl 또는 ZnSe:Te 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것인 X-선 검출기
5 5
제4항에 있어서,상기 PBDB-T:ITIC에서 PBDB-T와 ITIC의 중량비율은,620nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 ZnSe:Te의 스펙트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성된 활성층의 흡광(Absorbance) 스펙트럼 곡선의 정합도를 고려하여 1:1 내지 1:2를 갖는 것인 X-선 검출기
6 6
제4항에 있어서,상기 ZnSe:Te의 재질로 형성된 섬광체층은 1mm 내지 2mm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출기
7 7
제2항에 있어서,상기 PBDB-T:ITIC가 혼합된 활성층의 두께는 90nm 내지 110nm를 갖는 것인 X-선 검출기
8 8
기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상부에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상부에 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성된 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 기판 하부에 ZnSe:Te로 형성된 섬광체층(scintillator)을 형성하는 단계를 포함하는 X-선 검출기의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 정공수송층을 형성하는 단계 이전에,상기 제1 전극층이 노출되도록 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 X-선 검출기의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 PBDB-T와 상기 ITIC의 중량비율은,620nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 ZnSe:Te의 스펙트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성된 활성층의 흡광(Absorbance) 스펙트럼 곡선의 정합도를 고려하여 1:1 내지 1:2를 갖는 것인 X-선 검출기의 제조방법
11 11
제8항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지(Encapsulation)공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 X-선 검출기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 단국대학교 중견연구자지원사업/후속연구(Ez) X-선 영상 취득을 위한 직/간접 방식의 휨성 검출기에 대한 연구