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입자를 포집하는 센싱 기판; 및상기 센싱 기판에 테라헤르츠 전자기파를 방출하여 상기 입자를 센싱하는 테라헤르츠 센서;를 포함하되,상기 센싱 기판은,베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 형성된 입자 포집 구조층을 포함하고, 상기 입자 포집 구조층은 상기 테라헤르츠 전자기파를 집중시키기 위한 복수의 슬릿을 포함하며, 상기 입자 포집 구조층은 유전영동 현상을 이용하여 상기 복수의 슬릿에 입자를 포집하고, 상기 테라헤르츠 전자기파가 상기 복수의 슬릿에 집중되는 영역은 상기 유전영동 현상을 통해 상기 입자가 상기 복수의 슬릿에 포집되는 영역과 일치하는 것을 특징으로 하는 입자 포집형 테라헤르츠 센싱 시스템
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제1 항에 있어서,상기 입자 포집 구조층은 상기 베이스 기판 상에 형성된 제1 전도체층, 상기 제1 전도체층 상에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 상에 형성된 제2 전도체층을 포함하며, 상기 제1 전도체층 및 상기 제2 전도체층은 유전영동 전극쌍이며, 상기 제1 전도체층 및 상기 제2 전도체층에 교류 전압을 형성하는 전압 제공부를 더 포함하는 입자 포집형 테라헤르츠 센싱 시스템
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제2 항에 있어서, 상기 복수의 슬릿은 상기 베이스 기판의 표면이 외부에 노출되도록 상기 제1 전도체층, 상기 절연층 및 상기 제2 전도체층이 식각되여 형성되는 것을 특징으로 하는 입자 포집형 테라헤르츠 센싱 시스템
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제3 항에 있어서, 상기 테라헤르츠 전자기파가 상기 복수의 슬릿에 집중되는 영역과 상기 유전영동 현상을 통해 상기 입자가 상기 복수의 슬릿에 포집되는 영역은, 상기 복수의 슬릿에 의해 노출된 제1 전도체층의 테두리 영역 및 제2 전도체층의 테두리 영역으로 일치되는 것을 특징으로 하는 입자 포집형 테라헤르츠 센싱 시스템
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제1 항에 있어서, 상기 테라헤르츠 센서는 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 센싱 기판에 방출하고, 상기 센싱 기판을 통과한 테라헤르츠 전자기파를 집속하여 상기 입자를 센싱하는 것을 특징으로 하는 입자 포집형 테라헤르츠 센싱 시스템
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제1 항에 있어서, 상기 테라헤르츠 센서는 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 센싱 기판에 방출하고, 상기 센싱 기판에서 반사된 테라헤르츠 전자기파를 집속하여 상기 입자를 센싱하는 것을 특징으로 하는 입자 포집형 테라헤르츠 센싱 시스템
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테라헤르츠 전자기파를 이용한 센싱을 위해 입자를 포집하는 센싱 기판으로서, 상기 센싱 기판은:베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 상에 형성된 입자 포집 구조층을 포함하되, 상기 입자 포집 구조층은 상기 테라헤르츠 전자기파를 집중시키기 위한 복수의 슬릿을 포함하며,상기 입자 포집 구조층은 유전영동 현상을 이용하여 상기 복수의 슬릿에 입자를 포집하고,상기 테라헤르츠 전자기파가 상기 복수의 슬릿에 집중되는 영역은 상기 유전영동 현상을 통해 상기 입자가 상기 복수의 슬릿에 포집되는 영역과 일치하는 것을 특징으로 하는 센싱 기판
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제7 항에 있어서,상기 입자 포집 구조층은 상기 베이스 기판 상에 형성된 제1 전도체층, 상기 제1 전도체층 상에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 상에 형성된 제2 전도체층을 포함하며,상기 제1 전도체층 및 상기 제2 전도체층은 외부에서 인가되는 교류 전압을 의해 상기 유전영동이 발생하는 유전영동 전극쌍인 것을 특징으로 하는 센싱 기판
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제8 항에 있어서, 상기 복수의 슬릿은 상기 베이스 기판의 표면이 외부에 노출되도록 상기 제1 전도체층, 상기 절연층 및 상기 제2 전도체층이 식각되여 형성되는 특징으로 하는 센싱 기판
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제9 항에 있어서, 상기 테라헤르츠 전자기파가 상기 복수의 슬릿에 집중되는 영역과 상기 유전영동 현상을 통해 상기 입자가 상기 복수의 슬릿에 포집되는 영역은, 상기 복수의 슬릿에 의해 노출된 제1 전도체층의 테두리 영역 및 제2 전도체층의 테두리 영역으로 일치되는 것을 특징으로 하는 센싱 기판
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