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1
제1 반도체층의 상부에 제2 반도체층이 적층되고, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층이 PN 접합된 제1 포토다이오드; 및제3 반도체층의 상부에 제4 반도체층이 적층되고, 상기 제3 반도체층 및 상기 제2 반도체층이 PN 접합된 제2 포토다이오드를 포함하고,상기 제2 반도체층은 적어도 두 개의 영역으로 분리되고, 상기 제2 포토다이오드는 상기 두 개의 영역 중 하나의 영역에 적층된 듀얼 포토다이오드
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2
제1항에 있어서,상기 제2 반도체층은 트렌치에 의해 제1 영역 및 제2 영역으로 분리되고,상기 제3 반도체층은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 하나의 상부에 적층된 듀얼 포토다이오드
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3
제1항에 있어서,상기 제2 반도체층과 상기 제2 포토다이오드 사이에 개재된 버퍼층을 더 포함하는 듀얼 포토다이오드
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4
제3항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 제2 반도체층 및 상기 제3 반도체층 사이에 개재된 듀얼 포토다이오드
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5
제3항에 있어서,상기 버퍼층은 AlN 재질인 듀얼 포토다이오드
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6
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 재질은 상기 제3 반도체층 및 상기 제4 반도체층의 재질과 다른 재질인 듀얼 포토다이오드
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7
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 SiC 재질인 듀얼 포토다이오드
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8
제1항에 있어서,상기 제3 반도체층 및 상기 제4 반도체층은 GaN계 반도체 재질, AlGaN계 반도체 재질 및 InGaN계 반도체 재질 중 하나의 재질인 듀얼 포토다이오드
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9
제1항에 있어서,상기 제1 포토다이오드는,상기 제1 반도체층의 하면 및 상기 제1 반도체층의 상면 중 한 면에 형성된 제1 전극; 및상기 제2 반도체층의 상면에 형성된 제2 전극을 포함하는 듀얼 포토다이오드
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10
제9항에 있어서,상기 제2 포토다이오드는,상기 제3 반도체층의 상면에 형성된 제3 전극; 및상기 제4 반도체층의 상면에 형성된 제4 전극을 포함하는 듀얼 포토다이오드
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11
제1 반도체층, 제2 반도체층, 제3 반도체층 및 제4 반도체층을 순차적으로 적층하는 적층 단계;상기 제2 반도체층을 적어도 제1 포토다이오드 영역 및 제2 포토다이오드 영역으로 분리하는 영역 분리 단계; 및상기 제1 포토다이오드 영역에 적층된 제3 반도체층 및 제4 반도체층을 제거하는 식각 단계를 포함하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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12
제11항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 재질은 상기 제3 반도체층 및 상기 제4 반도체층의 재질과 다른 재질인 듀얼 포토다이오드 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 SiC 재질인 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제3 반도체층 및 상기 제4 반도체층은 GaN계 반도체 재질, AlGaN계 반도체 재질 및 InGaN계 반도체 재질 중 하나의 재질인 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 적층 단계에서는 상기 제1 반도체층의 상부에 상기 제2 반도체층을 적층하고, 상기 제2 반도체층의 상부에 상기 제3 반도체층을 적층하고, 상기 제3 반도체층의 상부에 상기 제4 반도체층을 적층하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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16
제11항에 있어서,상기 적층 단계에서는 상기 제3 반도체층을 적층하기 전에 상기 제2 반도체층의 상부에 버퍼층을 형성하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 적층 단계에서는 상기 제2 반도체층의 상부에 AlN 재질인 버퍼층을 형성하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 영역 분리 단계에서는 상기 제2 반도체층, 상기 제3 반도체층 및 상기 제4 반도체층을 관통하는 트렌치를 형성하여 상기 제2 반도체층을 상기 제1 포토다이오드 영역 및 상기 제2 포토다이오드 영역으로 분리하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 반도체층의 상면 및 하면 중 한 면에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체층의 상면에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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20
제11항에 있어서,상기 제3 반도체층의 상면에 제3 전극을 형성하는 단계; 및상기 제4 반도체층의 상면에 제4 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 포토다이오드 제조 방법
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