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(a) 이온빔 조사를 통해, 기판 내로 금속 촉매 소스를 주입하는 단계;(b) 상기 금속 촉매 소스가 주입된 기판을 가열하여 금속 촉매 입자를 형성하는 단계; 및(c) 상기 금속 촉매 입자가 형성된 기판 상에 기상 탄소 흐름을 제공하여 그래핀 양자점을 제조하는 단계를 포함하는그래핀 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 이온빔 조사량은 1 X 10 13 ion/cm2 내지 1 X 10 19 ion/cm2 인 것을 특징으로 하는, 그래핀 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 금속 촉매 소스는 구리, 철, 백금, 인듐 및 니켈로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는, 그래핀 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 불활성 기체 분위기 하에, 800 ℃ 내지 1200 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 그래핀 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 금속 촉매 입자의 크기는 0
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계는 불활성 기체 분위기 하에, 800 ℃ 내지 1200 ℃의 온도에서 10분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 그래핀 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 기상 탄소의 유량은 5 sccm 내지 500 sccm인 것을 특징으로 하는, 그래핀 양자점의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, 상기 금속 촉매 입자는 제거된 것을 특징으로 하는, 그래핀 양자점의 제조방법
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