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CIGS 박막이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및상기 CIGS 박막에 열을 가하면서, Se-S 스퍼터링을 통해 상기 CIGS 박막의 표면을 황화 처리하는 단계를 포함하는, 스퍼터링 기반 황화 처리에 의한 CIGS 광흡수층 표면 에너지 밴드갭 증가 방법
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청구항 1에 있어서,상기 CIGS 박막이 형성된 기판은,기판/CIGS로 구성된 광흡수층 전구체 구조를 포함하는, 스퍼터링 기반 황화 처리에 의한 CIGS 광흡수층 표면 에너지 밴드갭 증가 방법
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청구항 1에 있어서,상기 CIGS 박막이 형성된 기판은,기판/CIGS/황으로 구성된 광흡수층 전구체 구조를 포함하는, 스퍼터링 기반 황화 처리에 의한 CIGS 광흡수층 표면 에너지 밴드갭 증가 방법
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청구항 2 또는 3에 있어서,상기 광흡수층 전구체 구조를 열처리하는데 있어서, Se-S 타겟을 스퍼터링하면서 열처리 과정 중에 스퍼터링을 통해서 황(S)을 공급하는, 스퍼터링 기반 황화 처리에 의한 CIGS 광흡수층 표면 에너지 밴드갭 증가 방법
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청구항 3에 있어서,상기 기판/CIGS/황으로 구성된 광흡수층 전구체 구조의 황의 두께는 0
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