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기판 집적 도파관(SIW: Substrate Integrated Waveguide)을 기반으로 형성된, 직각 커플러(Quadrature Coupler), 크로스 오버(Cross over) 및 위상 쉬프터(Phase Shifter)를 포함하는 SIW 버틀러 매트릭스(Butler matrix)의 신호 전달 부분을 기준으로 적어도 2개 이상의 부분으로 분할되어 접힌 형태로 적층됨으로써 복수의 레이어로 구성된, 즉 신호흐름상의 요소기능을 세그먼트화하고 입력출력 포트 사이에서 지그재그 방식으로 쌓아 성능 유지, 크기 축소되는, 폴디드 SIW 버틀러 매트릭스; 및상기 SIW 버틀러 매트릭스의 일측 끝단의 출력 포트에 연결된 방사체를 포함하고,상기 폴디드 SIW 버틀러 매트릭스는,상기 복수의 레이어 중 수직으로 인접한 2개의 레이어의 분리된 부분들을 광대역에서 임피던스 매칭과 출력간 위상관계 만족하는 슬롯으로써 전기적으로 결합하는 복수의 SIW-SIW 수직 트랜지션을 포함하며,상기 SIW-SIW 수직 트랜지션은,상기 복수의 레이어 중 수직으로 인접한 2개의 레이어 중 상층 레이어와 상기 상층 레이어의 하부에 있는 하층 레이어에 위치하는 비아 벽; 및상기 비아 벽으로부터 소정 거리 이격되어 상기 상층 레이어와 상기 하층 레이어 간의 금속 클래드에 형성된 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조 분리 지그재그 적층 기법에 의한 5G 소형 단말기 및 중계기용 면적 축소 빔 포밍 안테나
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제 1 항에 있어서,상기 SIW 버틀러 매트릭스의 타측 끝단의 입력 포트에 형성되되,마이크로웨이브 커넥터와의 접속을 위한 마이크로스트립-SIW 트랜지션을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조 분리 지그재그 적층 기법에 의한 5G 소형 단말기 및 중계기용 면적 축소 빔 포밍 안테나
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제 1 항에 있어서,상기 SIW 버틀러 매트릭스는,8×8 SIW 버틀러 매트릭스인 것을 특징으로 하는 구조 분리 지그재그 적층 기법에 의한 5G 소형 단말기 및 중계기용 면적 축소 빔 포밍 안테나
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제 1 항에 있어서,상기 방사체는 마이크로스트립 패치 안테나를 포함하고,상기 마이크로스트립 패치 안테나는,상기 복수의 레이어 중 최상층 레이어에 형성된 변형 E 자형 패치 안테나 패턴; 및상기 복수의 레이어중 최하층 레이어에 형성되어 SIW 전송라인에 연결된 SIW-마이크로스트립 트랜지션을 포함하며,상기 변형 E 자형 패치 안테나 패턴은 상기 SIW-마이크로스트립 트랜지션을 통한 간접 커플링으로 급전되는 것을 특징으로 하는 구조 분리 지그재그 적층 기법에 의한 5G 소형 단말기 및 중계기용 면적 축소 빔 포밍 안테나
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제 2 항에 있어서,상기 마이크로스트립-SIW 트랜지션은, 테이퍼형 마이크로스트립 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조 분리 지그재그 적층 기법에 의한 5G 소형 단말기 및 중계기용 면적 축소 빔 포밍 안테나
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제 1 항에 있어서,상기 위상 쉬프터는,67
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기판 집적 도파관(SIW: Substrate Integrated Waveguide)을 기반으로 형성된, 직각 커플러(Quadrature Coupler), 크로스 오버(Cross over) 및 위상 쉬프터(Phase Shifter)를 포함하는 SIW 버틀러 매트릭스(Butler matrix)의 신호 전달 부분을 기준으로 적어도 2개 이상의 부분으로 분할되어 접힌 형태로 적층됨으로써 복수의 레이어로 구성된, 즉 신호흐름상의 요소기능을 세그먼트화하고 입력출력 포트 사이에서 지그재그 방식으로 쌓아 성능 유지, 크기 축소되는, 폴디드 SIW 버틀러 매트릭스; 및상기 SIW 버틀러 매트릭스의 일측 끝단의 출력 포트에 연결된 방사체를 포함하며,상기 폴디드 SIW 버틀러 매트릭스는 상기 SIW 버틀러 매트릭스의 중단을 기준으로 분리되어 겹쳐짐으로써 상층 레이어와 하층 레이어로 구성되고,상기 SIW 버틀러 매트릭스는, 상기 직각 커플러 위치를 두 부분으로 나누어서 중단을 기준으로 분리된 것을 특징으로 하는 구조 분리 지그재그 적층 기법에 의한 5G 소형 단말기 및 중계기용 면적 축소 빔 포밍 안테나
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