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상변화 메모리 장치에서의 데이터 리드(read) 동작 방법에 있어서,상변화 메모리 셀(cell)의 하부 전극(bottom electrode)에 연결된 워드 라인(WL)을 통해 상기 상변화 메모리 셀의 하단 전압을 미리 설정된 제1 전압으로 프리차지(precharge)한 후 플로팅(floating)하는 단계;상기 상변화 메모리 셀의 상부 전극(top electrode)에 연결된 비트 라인(BL)을 통해 상기 상변화 메모리 셀의 상단 전압을 미리 설정된 제2 전압 - 상기 제2 전압은 상기 제1 전압과의 차이가 상기 상변화 메모리 셀이 결정질(Crystalline) 상태일 때의 제1 문턱 전압(Vth_SET) 이상, 상기 상변화 메모리 셀이 비결정질(Amorphous) 상태일 때의 제2 문턱 전압(Vth_RESET) 미만이 되도록 설정된 전압임 - 으로 프리차지하는 단계; 및상기 하단 전압의 변화를 측정하여 상기 하단 전압이 미리 설정된 기준 전압을 초과하는지 확인함으로써, 상기 상변화 메모리 셀에 저장된 비트 값의 종류를 판정하는 단계를 포함하고,상기 상변화 메모리 셀에 상기 상단 전압을 공급하기 위한 전원측 노드와 상기 워드 라인 사이에는 커패시터를 통해 용량 결합(capacitive coupling)되도록 구성되어 있으며, 상기 상단 전압은 상기 하단 전압이 상승하는 경우, 상기 용량 결합을 통해 발생하는 정궤환(positive feedback)에 의해, 상기 하단 전압의 상승량만큼 크기가 상승하는 특성을 갖도록 구성되는 상변화 메모리 장치에서의 데이터 리드 동작 방법
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제4항에 있어서,상기 기준 전압은 상기 제1 전압과 제3 전압 - 상기 제3 전압은 상기 상변화 메모리 셀이 결정질 상태일 때 상기 상변화 메모리 셀의 양단의 전위차가 상기 제1 문턱 전압에 도달함에 따라 발생하는 전압 강하량의 2배만큼의 전압을 상기 제1 전압에 합산한 전압임 - 사이의 크기를 갖도록 설정된 전압인 상변화 메모리 장치에서의 데이터 리드 동작 방법
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제5항에 있어서,상기 판정하는 단계는상기 하단 전압이 상기 기준 전압을 초과하는 것으로 확인되는 경우, 상기 상변화 메모리 셀이 결정질 상태인 것으로 확인하여 상기 상변화 메모리 셀에 '1'의 비트 값이 저장되어 있는 것으로 판정하고, 상기 하단 전압이 상기 기준 전압 이하인 것으로 확인되는 경우, 상기 상변화 메모리 셀이 비결정질(Amorphous) 상태인 것으로 확인하여 상기 상변화 메모리 셀에 '0'의 비트 값이 저장되어 있는 것으로 판정하는 상변화 메모리 장치에서의 데이터 리드 동작 방법
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제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 따른 데이터 리드(read) 동작을 수행하는 상변화 메모리 장치
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