맞춤기술찾기

이전대상기술

광 커플링 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2021006285
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 커플링 방법 및 장치가 개시된다. 광 커플링 방법은 제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 한 쌍의 제1 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 제1 광섬유와 상기 제1 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제1 좌표 쌍을 식별하는 단계; 제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 상기 제1 반사형 격자 커플러들과는 다른 한 쌍의 제2 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 제2 광섬유와 상기 제2 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제2 좌표 쌍을 식별하는 단계; 상기 식별된 제1 좌표 쌍을 이용하여 상기 제1 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 제1 각도를 결정하고, 상기 식별된 제2 좌표 쌍을 이용하여 상기 제2 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 제2 각도를 결정하는 단계; 및 상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 레이아웃 좌표로 구성된 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도를 적용함으로써 상기 복수의 광 소자들에 대한 상기 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 좌표로 구성된 제2 룩업 테이블을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL G02B 6/26 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200056538 (2020.05.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0058626 (2021.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190145114   |   2019.11.13
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유상화 대전광역시 유성구
2 강세경 대전광역시 유성구
3 박혁 대전광역시 유성구
4 허준영 대전광역시 유성구
5 송종태 대전광역시 유성구
6 이준기 세종특별자치시 새롬남로 **,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0478298-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 한 쌍의 제1 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 제1 광섬유와 상기 제1 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제1 좌표 쌍을 식별하는 단계;제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 상기 제1 반사형 격자 커플러들과는 다른 한 쌍의 제2 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 제2 광섬유와 상기 제2 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제2 좌표 쌍을 식별하는 단계;상기 식별된 제1 좌표 쌍을 이용하여 상기 제1 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 제1 각도를 결정하고, 상기 식별된 제2 좌표 쌍을 이용하여 상기 제2 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 제2 각도를 결정하는 단계; 및상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 레이아웃 좌표로 구성된 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도를 적용함으로써 상기 복수의 광 소자들에 대한 상기 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 좌표로 구성된 제2 룩업 테이블을 생성하는 단계를 포함하는 광 커플링 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 좌표 쌍을 식별하는 단계는,상기 제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제1 반사형 격자 커플러들 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 상기 제1 좌표 쌍으로 결정하는 광 커플링 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제2 좌표 쌍을 식별하는 단계는,상기 제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제2 반사형 격자 커플러들 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 상기 제2 좌표 쌍으로 결정하는 광 커플링 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 룩업 테이블을 생성하는 단계는,상기 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도가 반영된 회전 매트릭스를 적용하는 광 커플링 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 반사형 격자 커플러들 및 제2 반사형 격자 커플러들 각각은,상기 실리콘 포토닉스 칩 상에서 서로 간의 거리가 가장 멀도록 배치되는 광 커플링 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 생성된 제2 룩업 테이블을 통해 상기 제1 스테이지 및 제2 스테이지를 제어함으로써 상기 제1 광섬유와 제2 광섬유를 상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 입출력 격자 커플러로 위치시켜 광 커플링을 수행하는 단계를 더 포함하는 광 커플링 방법
7 7
광 커플링 장치에 있어서,프로세서를 포함하고,상기 프로세서는,제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 한 쌍의 제1 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 제1 광섬유와 상기 제1 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제1 좌표 쌍을 식별하고,제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 상기 제1 반사형 격자 커플러들과는 다른 한 쌍의 제2 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 제2 광섬유와 상기 제2 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제2 좌표 쌍을 식별하며,상기 식별된 제1 좌표 쌍을 이용하여 상기 제1 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 제1 각도를 결정하고, 상기 식별된 제2 좌표 쌍을 이용하여 상기 제2 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 제2 각도를 결정하고,상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 레이아웃 좌표로 구성된 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도를 적용함으로써 상기 복수의 광 소자들에 대한 상기 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 좌표로 구성된 제2 룩업 테이블을 생성하는 광 커플링 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 프로세서는,상기 제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제1 반사형 격자 커플러들 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 상기 제1 좌표 쌍으로 결정하는 광 커플링 장치
9 9
제7항에 있어서,상기 프로세서는,상기 제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제2 반사형 격자 커플러들 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 상기 제2 좌표 쌍으로 결정하는 광 커플링 장치
10 10
제7항에 있어서,상기 프로세서는,상기 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도가 반영된 회전 매트릭스를 적용함으로써 제2 룩업 테이블을 생성하는 광 커플링 장치
11 11
제7항에 있어서,상기 제1 반사형 격자 커플러들 및 제2 반사형 격자 커플러들 각각은,상기 실리콘 포토닉스 칩 상에서 서로 간의 거리가 가장 멀도록 배치되는 광 커플링 장치
12 12
제7항에 있어서,상기 프로세서는,상기 생성된 제2 룩업 테이블을 통해 상기 제1 스테이지 및 제2 스테이지를 제어함으로써 상기 제1 광섬유와 제2 광섬유를 상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들의 입출력 격자 커플러로 위치시켜 광 커플링을 수행하는 광 커플링 장치
13 13
스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 한 쌍의 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 광섬유 어레이에 포함된 어느 하나의 광섬유와 상기 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 좌표 쌍을 식별하는 단계;상기 식별된 좌표 쌍을 이용하여 상기 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 각도를 결정하는 단계; 및상기 결정된 각도에 기초하여 상기 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 각도가 0 이 되도록 상기 스테이지를 회전하는 단계; 및상기 회전이 수행된 스테이지의 XY 스캐닝 과정을 통해 상기 한 쌍의 반사형 격자 커플러들 중 어느 하나의 반사형 격자 커플러에 대한 위치 정보를 획득하는 단계; 및상기 획득된 반사형 격자 커플러에 대한 위치 정보에 기초하여 상기 회전이 수행된 스테이지를 제어함으로써 상기 광섬유 어레이를 상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 입출력 격자 커플러로 위치시켜 광 커플링을 수행하는 단계를 포함하는 광 커플링 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 좌표 쌍을 식별하는 단계는,상기 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 반사형 격자 커플러들 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 상기 좌표 쌍으로 결정하는 광 커플링 방법
15 15
제13항에 있어서,상기 반사형 격자 커플러들은,상기 실리콘 포토닉스 칩 상에서 서로 간의 거리가 가장 멀도록 배치되는 광 커플링 방법
16 16
광 커플링 장치에 있어서,프로세서를 포함하고,상기 프로세서는,스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 한 쌍의 반사형 격자 커플러들을 이용함으로써 광섬유 어레이에 포함된 어느 하나의 광섬유와 상기 반사형 격자 커플러들 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 좌표 쌍을 식별하고,상기 식별된 좌표 쌍을 이용하여 상기 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 각도를 결정하며,상기 결정된 각도에 기초하여 상기 스테이지와 실리콘 포토닉스 칩 사이의 각도가 0 이 되도록 상기 스테이지를 회전하고,상기 회전이 수행된 스테이지의 XY 스캐닝 과정을 통해 상기 한 쌍의 반사형 격자 커플러들 중 어느 하나의 반사형 격자 커플러에 대한 위치 정보를 획득하며,상기 획득된 반사형 격자 커플러에 대한 위치 정보에 기초하여 상기 회전이 수행된 스테이지를 제어함으로써 상기 광섬유 어레이를 상기 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 입출력 격자 커플러로 위치시켜 광 커플링을 수행하는 광 커플링 장치
17 17
복수의 실리콘 포토닉스 칩이 인접하여 배열된 웨이퍼(Wafer)에 대한 광 커플링 방법에 있어서,제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 상기 웨이퍼를 구성하는 임의의 제1 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 하나의 제1 반사형 격자 커플러 및 상기 제1 실리콘 포토닉스 칩과 인접한 제2 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 하나의 제2 반사형 격자 커플러를 이용함으로써 제1 광섬유와 상기 제1 반사형 격자 커플러 및 제2 반사형 격자 커플러 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 제1 실리콘 포토닉스 칩 상의 제1 좌표 및 제2 실리콘 포토닉스 칩 상의 제2 좌표를 식별하는 단계;제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 제1 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 하나의 제3 반사형 격자 커플러 및 상기 제1 실리콘 포토닉스 칩과 인접한 제2 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 하나의 제4 반사형 격자 커플러를 이용함으로써 제1 광섬유와 상기 제3 반사형 격자 커플러 및 제4 반사형 격자 커플러 각각에 대해 최대 광커플링이 발생하도록 하는 상기 제1 실리콘 포토닉스 칩 상의 제3 좌표 및 제2 실리콘 포토닉스 칩 상의 제4 좌표를 식별하는 단계;상기 식별된 제1 좌표 및 제2 좌표를 이용하여 상기 제1 스테이지와 웨이퍼 사이의 제1 각도를 결정하고, 상기 식별된 제3 좌표 및 제4 좌표를 이용하여 상기 제2 스테이지와 웨이퍼 사이의 제2 각도를 결정하는 단계; 및상기 웨이퍼를 구성하는 실리콘 포토닉스 칩 상에 배치된 복수의 광 소자들에 대한 레이아웃 좌표로 구성된 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도를 적용함으로써 상기 복수의 광 소자들에 대한 상기 제1 스테이지 및 제2 스테이지의 좌표로 구성된 제2 룩업 테이블을 생성하는 단계를 포함하는 광 커플링 방법
18 18
제17항에 있어서,상기 제1 좌표 및 제2 좌표를 식별하는 단계는,상기 제1 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 제1 반사형 격자 커플러 및 제2 반사형 격자 커플러 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 각각 제1 좌표 및 제2 좌표로 결정하는 광 커플링 방법
19 19
제17항에 있어서,상기 제3 좌표 및 제4좌표를 식별하는 단계는,상기 제2 스테이지의 XY 스캐닝 과정에서 광원을 통해 출력된 광 신호가 상기 실리콘 포토닉스 칩 상의 제3 반사형 격자 커플러 및 제4 반사형 격자 커플러 각각에 의해 반사되어 포토 다이오드에 수신된 경우, 수신된 광 신호의 세기가 가장 큰 실리콘 포토닉스 칩 상의 지점들을 각각 제3 좌표 및 제4 좌표로 결정하는 광 커플링 방법
20 20
제17항에 있어서,상기 제2 룩업 테이블을 생성하는 단계는,상기 제1 룩업 테이블에 상기 결정된 제1 각도 및 제2 각도가 반영된 회전 매트릭스를 적용하는 광 커플링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 ETRI 연구개발지원사업 [전문연구실]초정밀 서비스 실현을 위한 On-Time·On-Rate 무선액세스 및 광에지 클라우드 네트워킹 핵심기술 개발