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광전자 소자; 제1구동부; 및 제2구동부를 포함하고,상기 제1구동부와 상기 제2구동부는 각각 상기 광전자 소자와 전기적으로 연결되고, 수광 모드에서 상기 광전자 소자가 제1구동부에 의하여 구동되고,발광 모드에서 상기 광전자 소자가 제2구동부에 의하여 구동되고,상기 광전자 소자는 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 광전변환층; 을 포함하고,상기 광전변환층은 3차원 페로브스카이트를 포함하는 제1층; 및2차원 페로브스카이트를 포함하는 제2층;을 포함하는, 광전자(optoelectic) 장치
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제1항에 있어서,상기 제1구동부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 형성된 전력을 수집하고,상기 제2구동부는 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 전력을 인가하는, 광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 제1구동부와 상기 제2구동부가 전기적으로 연결되어, 상기 제1구동부에서 수집된 전력을 상기 제2구동부에 공급하는, 광전자 장치
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4
제1항에 있어서,센서부를 더 포함하고,상기 센서부는 외광을 감지하여 상기 수광 모드와 상기 발광 모드를 결정하는, 광전자 장치
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5
제1항에 있어서,상기 제1층과 상기 제2층은 직접 접촉하는, 광전자 장치
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제2항에 있어서,상기 발광 모드에서 상기 제1층과 상기 제2층의 계면에서 광이 방출되는, 광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 2차원 페로브스카이트의 밴드갭과 상기 3차원 페로브스카이트의 밴드갭은 서로 상이한, 광전자 장치
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8
제1항에 있어서,상기 2차원 페로브스카이트의 밴드갭은 상기 3차원 페로브스카이트의 밴드갭보다 큰, 광전자 장치
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9
제1항에 있어서,상기 2차원 페로브스카이트의 밴드갭과 상기 3차원 페로브스카이트의 밴드갭의 차이는 0
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10
제1항에 있어서,상기 3차원 페로브스카이트는 하기 화학식 1로 표시되고,상기 2차원 페로브스카이트는 하기 화학식 2로 표시되는, 광전자 장치
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11
제10항에 있어서,A1은 NH4, CH3NH3, C2H5NH3, (CH3)2NH2, CH(NH2)2, Li, Na, K, Rb, Cs, Fr 또는 이의 임의의 조합이고, A2 및 A3는 서로 독립적으로, 아닐리늄(anilinium), 페닐메틸암모늄, 페닐에틸암모늄, C4-C10알킬암모늄, 또는 이의 임의의 조합이고; B1 및 B2는 서로 독립적으로, Pb, Sn, Bi, Sb, Cu, Ag 또는 Au 이의 임의의 조합이고; X1 및 X2는 서로 독립적으로, Cl, Br, I 또는 이의 임의의 조합이고;n은 1 이상의 정수이다
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12
제10항에 있어서,A1은 CH3NH3, CH(NH2)2, Cs, 또는 이의 임의의 조합이고, A2 및 A3는 서로 독립적으로, 페닐에틸암모늄이고; B1 및 B2는 서로 독립적으로, Pb이고; X1 및 X2는 서로 독립적으로, Br, I 또는 이의 임의의 조합이고;n은 1이다
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13
제1항에 있어서,상기 3차원 페로브스카이트는 하기 화학식 1-1로 표시되고,상기 2차원 페로브스카이트는 하기 화학식 2-1로 표시되는, 광전자 장치
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 하나는 10 nm 내지 1 mm 범위의 파장을 갖는 광에 대하여 75% 이상 투과도를 갖는, 광전자 장치
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15
제1항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 광전변환층 사이에 개재된 제1전하 수송 영역 및/또는 상기 광전변환층과 상기 제2전극 사이에 개재된 제2전하 수송 영역을 포함하는, 광전자 장치
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제15항에 있어서, 상기 제1전하 수송 영역은 금속 산화물을 포함하는, 광전자 장치
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제15항에 있어서, 상기 제1전하 수송 영역은 TiO2, ZnO, SrTiO3, WO3 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 광전자 장치
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제15항에 있어서, 상기 제2전하 수송 영역은 정공 수송성 유기 단분자 화합물, 정공 수송성 유기 고분자 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는, 광전자 장치
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제15항에 있어서, 상기 제2전하 수송 영역은 spiro-MeOTAD (2,2,7,7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'-spirobifluoren), 폴리(3-헥실티오펜), 4-tert-부틸피리딘, Li-TFSI 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는, 광전자 장치
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20
제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 광전 변환층; 을 포함하는 광전자 소자를 제공하는 단계; 및상기 광전자 소자와 전기적으로 연결된 제1구동부 및 제2구동부를 제공하는 단계;를 포함하고,상기 광전 변환층은 상기 제1전극 상에 3차원 페로브스카이트 용액을 제공하여 제1층을 형성하고, 상기 제1층 상에 2차원 페로브스카이트 용액을 제공하여 제2층을 형성함으로써 제공되는, 광전자 장치의 제조 방법
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