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스위칭 제어 신호를 생성하여 공급하는 컨트롤러;상기 컨트롤러로부터 상기 스위칭 제어 신호를 수신하고 상기 스위칭 제어 신호에 응답하여 스위칭 구동 신호를 생성하는 게이트 드라이버;상기 게이트 드라이버에 연결되며, 상기 스위칭 구동 신호를 받아들이는 게이트 단자를 구비하고, 상기 스위칭 구동 신호에 응답하여 스위칭되는 WBG 전력 반도체 소자;를 포함하고,상기 스위칭 구동 신호는 0 전압보다 높은 제1 기준 전압, 상기 0 전압보다 낮은 제2 기준 전압 및 상기 0 전압의 3레벨을 선택적으로 가질 수 있어서, 상기 게이트 드라이버가 WBG 전력 반도체 소자를 상기 3레벨로 구동하는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템
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제1항에 있어서,상기 게이트 드라이버는상기 WBG 전력 반도체 소자의 스위칭 턴-오프 제어를 위해 상기 WBG 전력 반도체 소자의 게이트 단자에 상기 제1 기준 전압을 공급하다가, 상기 제2 기준 전압을 공급하고, 상기 제2 기준 전압 공급 이후 상기 0 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템
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제2항에 있어서,상기 WBG 전력 반도체 소자의 게이트 단자 및 소스 단자 사이의 전압은 스위칭 턴-오프 제어에 따라, 상기 제1 기준 전압에서 상기 제2 기준 전압으로 천이되었다가, 지정된 기간 이후 0 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템
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제3항에 있어서,상기 WBG 전력 반도체 소자의 게이트 단자 및 소스 단자 사이의 전압이 상기 제2 기준 전압으로의 천이됨에 따라 상기 게이트 드라이버의 드레인 및 소스 사이의 전류 공급이 차단되는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템
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게이트 드라이버 및 광 밴드 갭 전력 반도체 소자를 구비하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템에서 상기 광 밴드 갭 전력 반도체 소자의 구동 방법에 있어서,상기 게이트 드라이버에 의해, WBG 전력 반도체 소자에 0 전압보다 높은 제1 기준 전압이 공급되는 단계;상기 게이트 드라이버에 의해, 상기 WBG 전력 반도체 소자의 턴-오프 제어와 관련하여 0 전압보다 낮은 제2 기준 전압을 공급하는 단계;지정된 기간 경과 후 상기 WBG 전력 반도체 소자의 게이트 단자에 0 전압을 공급하여 상기 게이트 드라이버를 3 레벨 구동하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템의 구동 방법
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제5항에 있어서,상기 3레벨 구동하는 단계는상기 WBG 전력 반도체 소자의 게이트 단자 및 소스 단자 사이의 전압을 스위칭 턴-오프 제어에 따라, 상기 제2 기준 전압에서 0 전압으로 변경된 후 상기 0 전압을 유지하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템의 구동 방법
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제6항에 있어서,상기 0 전압을 유지하는 단계는상기 WBG 전력 반도체 소자의 게이트 단자 및 소스 단자 사이의 전압이 상기 제2 기준 전압으로의 천이됨에 따라 상기 게이트 드라이버의 드레인 및 소스 사이의 전류 공급이 차단되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 밴드 갭 전력 반도체 시스템의 구동 방법
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