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(a) 제1 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 제1 기판을 선택적으로 이방성 식각하여 복수의 역 피라미드 피트(inverted pyramidal pits)를 형성하는 단계;(c) 상기 역 피라미드 피트가 형성된 제1 기판 표면에 엘라스토머를 코팅하여 엘라스토머층을 형성하는 단계;(d) 피라미드 모양의 팁이 복수 개 배열된 팁 어레이를 포함하는 엘라스토머층을 상기 제1 기판으로부터 분리해내는 단계;(e) 제2 기판에 복수 개의 금속 전극을 형성하는 단계; 및(f) 상기 제1 기판으로부터 분리해낸 엘라스토머 층을 금속 전극이 형성된 제2 기판에 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 엘라스토머층은 PDMS(Polydimethylsiloxane) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 엘라스토머층은 10∼500㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 피라미드 모양의 팁은 1∼50㎛의 높이를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 기판은 실리콘(Si) 웨이퍼 또는 감광성 유리 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 (b) 단계는,실리콘 기판을 열처리하여 표면에 실리콘산화물층을 형성하는 단계;상기 실리콘산화물층 상부에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 실리콘산화물층을 선택적으로 식각하여 실리콘산화물 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 실리콘산화물 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 실리콘 기판을 선택적으로 이방성 식각하여 복수의 역 피라미드 피트(inverted pyramidal pits)를 형성하는 단계; 및상기 실리콘산화물 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 실리콘산화물층의 선택적 식각은 HF 용액을 사용하고,상기 실리콘 기판의 선택적으로 이방성 식각은 KOH 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (e) 단계는,상기 제2 기판에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴이 형성된 제2 기판 상부에 금속을 증착하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴 상부의 금속과 포토레지스트 패턴을 리프트-오프(lift-off) 공정을 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 금속을 증착하는 단계는,Ti 금속을 진공 열증착한 후, Au 금속을 진공 열증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제15항에 있어서, 10㎚∼5㎛의 두께로 상기 Ti 금속을 진공 열증착하고 5∼500㎚의 두께로 상기 Au 금속을 진공 열증착하여 상기 금속 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치는, 유기분자 잉크가 도포된 피라미드 모양의 팁 끝부분을 전도성 금속판에 접촉하여 상기 전도성 금속판에 나노 패턴을 인쇄하기 위한 장치인 것을 특징으로 하는 다중 팁 기반 패턴 인쇄 장치의 제조방법
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