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제1블록; 상기 제1블록과 대향되는 제2블록; 및 상기 제1블록 및 상기 제2블록 사이에 위치하는 심(Shim)부재를 포함하며,상기 제1블록 및 상기 제2블록은 서로 결합하여 활물질 슬러리를 토출하는 슬롯을 형성하고,상기 제1블록은 상기 활물질 슬러리를 수용하는 챔버를 포함하고 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제1면을 형성하고,상기 제2블록은 상기 제1면에 대향하여 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제2면을 형성하며,상기 심부재는 상기 제1면과 상기 제2면의 양단에서 서로 마주하고 상기 슬롯의 높이 방향으로 형성된 단부를 포함하고,상기 단부는상기 심부재의 제1기준점으로부터 제2기준점까지 상기 폭 방향으로 제1조절폭(Lw)만큼 돌출되고, 상기 제2기준점으로부터 제3기준점까지 토출 방향에 대하여 제1각도(θ1)를 가지고 경사지며 상기 토출 방향으로 상기 제1조절길이(Ls)만큼 형성되는 폭 조절부를 포함하는이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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제1항에 있어서,상기 슬롯의 폭(W) 대비 상기 제1조절폭(Lw)의 폭비율(Lw/W)은0보다 크고 0
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3
제2항에 있어서,상기 슬롯의 폭(W) 대비 상기 제1조절폭(Lw)의 폭비율(Lw/W)은0
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제1항에 있어서,상기 슬롯의 토출 방향의 길이(S) 대비 상기 제1조절길이(Ls)의 길이비율(Ls/S)은0보다 크고 0
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5
제1항에 있어서,상기 제1각도(θ1)는0˚ 보다 크고 30˚ 이하인(0˚ 003c# θ1 ≤ 30˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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6 |
6
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 최소폭에서 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 증가시키는 폭증가부를 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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7
제6항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭증가부에 상기 토출 방향으로 이어지고 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 감소시키는 폭감소부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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8
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 심부재의 상기 제3기준점으로부터 제4기준점까지 상기 토출 방향에 대하여 상기 제1각도의 반대 방향으로 제2각도(θ2)를 가지고 경사지게 더 형성되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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9
제8항에 있어서,상기 제2각도(θ2)는0˚ 보다 크고 15˚ 이하인(0˚ 003c# θ2 ≤ 15˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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10
제7항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭감소부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향의 끝에서 라운드로 형성되어 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 다시 증가시키는 볼록 라운드부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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11
제6항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭증가부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 추가 증가시키는 추가 폭증가부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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12
제8항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 심부재의 상기 제3기준점으로부터 제5기준점까지 상기 토출 방향에 대하여 상기 제1각도의 방향으로 제3각도(θ3)를 가지고 경사지게 형성되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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13
제12항에 있어서,상기 제3각도(θ3)는0˚ 보다 크고 25˚ 이하인(0˚ 003c# θ3 ≤ 25˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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14
제11항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 추가 폭증가부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향의 끝에서 라운드로 형성되어 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 다시 감소시키는 오목 라운드부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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15
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 제1면과 상기 제2면에 수직으로 연결되도록 상기 높이 방향을 따라 직선으로 형성되는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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16
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 제1면과 상기 제2면에 라운드로 연결되도록 상기 슬롯을 향하여 오목 라운드 또는 볼록 라운드로 형성되는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
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