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이차전지 전극 제조용 슬롯다이

  • 기술번호 : KST2021006821
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 슬롯의 폭에 대하여 활물질 슬러리의 토출 속도 분포를 균일하게 하여, 기재의 폭에 대하여 활물질층의 코팅 두께를 균일하게 하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지 전극 제조용 슬롯다이는, 제1블록; 상기 제1블록과 대향되는 제2블록; 및 상기 제1블록 및 상기 제2블록 사이에 위치하는 심(Shim)부재를 포함하며, 상기 제1블록 및 상기 제2블록은 서로 결합하여 활물질 슬러리를 토출하는 슬롯을 형성하고, 상기 제1블록은 상기 활물질 슬러리를 수용하는 챔버를 포함하고 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제1면을 형성하고, 상기 제2블록은 상기 제1면에 대향하여 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제2면을 형성하며, 상기 심부재는 상기 제1면과 상기 제2면의 양단에서 서로 마주하고 상기 슬롯의 높이 방향으로 형성된 단부를 포함하고, 상기 단부는 상기 심부재의 제1기준점으로부터 제2기준점까지 상기 폭 방향으로 제1조절폭(Lw)만큼 돌출되고, 상기 제2기준점으로부터 제3기준점까지 토출 방향에 대하여 제1각도(θ1)를 가지고 경사지며 상기 토출 방향으로 상기 제1조절길이(Ls)만큼 형성되는 폭 조절부를 포함한다.
Int. CL B05C 5/02 (2006.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01)
CPC B05C 5/0262(2013.01) H01M 4/0404(2013.01)
출원번호/일자 1020190149286 (2019.11.20)
출원인 삼성에스디아이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0061578 (2021.05.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성에스디아이 주식회사 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안원기 경기도 수원시 영통구
2 김용호 경기도 수원시 영통구
3 박진석 서울특별시 관악구
4 배주혜 경기도 수원시 영통구
5 엄혜리 경기도 수원시 영통구
6 정민영 경기도 수원시 영통구
7 정현욱 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-1191385-79
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번호 청구항
1 1
제1블록; 상기 제1블록과 대향되는 제2블록; 및 상기 제1블록 및 상기 제2블록 사이에 위치하는 심(Shim)부재를 포함하며,상기 제1블록 및 상기 제2블록은 서로 결합하여 활물질 슬러리를 토출하는 슬롯을 형성하고,상기 제1블록은 상기 활물질 슬러리를 수용하는 챔버를 포함하고 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제1면을 형성하고,상기 제2블록은 상기 제1면에 대향하여 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제2면을 형성하며,상기 심부재는 상기 제1면과 상기 제2면의 양단에서 서로 마주하고 상기 슬롯의 높이 방향으로 형성된 단부를 포함하고,상기 단부는상기 심부재의 제1기준점으로부터 제2기준점까지 상기 폭 방향으로 제1조절폭(Lw)만큼 돌출되고, 상기 제2기준점으로부터 제3기준점까지 토출 방향에 대하여 제1각도(θ1)를 가지고 경사지며 상기 토출 방향으로 상기 제1조절길이(Ls)만큼 형성되는 폭 조절부를 포함하는이차전지 전극 제조용 슬롯다이
2 2
제1항에 있어서,상기 슬롯의 폭(W) 대비 상기 제1조절폭(Lw)의 폭비율(Lw/W)은0보다 크고 0
3 3
제2항에 있어서,상기 슬롯의 폭(W) 대비 상기 제1조절폭(Lw)의 폭비율(Lw/W)은0
4 4
제1항에 있어서,상기 슬롯의 토출 방향의 길이(S) 대비 상기 제1조절길이(Ls)의 길이비율(Ls/S)은0보다 크고 0
5 5
제1항에 있어서,상기 제1각도(θ1)는0˚ 보다 크고 30˚ 이하인(0˚ 003c# θ1 ≤ 30˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이
6 6
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 최소폭에서 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 증가시키는 폭증가부를 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
7 7
제6항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭증가부에 상기 토출 방향으로 이어지고 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 감소시키는 폭감소부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
8 8
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 심부재의 상기 제3기준점으로부터 제4기준점까지 상기 토출 방향에 대하여 상기 제1각도의 반대 방향으로 제2각도(θ2)를 가지고 경사지게 더 형성되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이
9 9
제8항에 있어서,상기 제2각도(θ2)는0˚ 보다 크고 15˚ 이하인(0˚ 003c# θ2 ≤ 15˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이
10 10
제7항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭감소부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향의 끝에서 라운드로 형성되어 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 다시 증가시키는 볼록 라운드부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
11 11
제6항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭증가부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 추가 증가시키는 추가 폭증가부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
12 12
제8항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 심부재의 상기 제3기준점으로부터 제5기준점까지 상기 토출 방향에 대하여 상기 제1각도의 방향으로 제3각도(θ3)를 가지고 경사지게 형성되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이
13 13
제12항에 있어서,상기 제3각도(θ3)는0˚ 보다 크고 25˚ 이하인(0˚ 003c# θ3 ≤ 25˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이
14 14
제11항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 추가 폭증가부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향의 끝에서 라운드로 형성되어 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 다시 감소시키는 오목 라운드부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
15 15
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 제1면과 상기 제2면에 수직으로 연결되도록 상기 높이 방향을 따라 직선으로 형성되는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
16 16
제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 제1면과 상기 제2면에 라운드로 연결되도록 상기 슬롯을 향하여 오목 라운드 또는 볼록 라운드로 형성되는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.