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아연 전극에 산용액을 이용하여 표면개질하는 단계를 포함하는, 다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산용액은, 염산, 인산, 황산, 질산, 초산, 불화수소 및 아세트산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산용액의 농도는 0
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제1항에 있어서,상기 표면개질은 40 ℃ 내지 80 ℃에서 10 초 내지 20 분 동안 수행하는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면개질하는 단계 이후에, 상기 표면개질된 다공성 전극을 증류수로 세정하는 단계;를 더 포함하는,다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 전극은 아연전극과 비교하여 결정 구조 및 화학적 변화 없이 제조된 것인,다공성 전극의 제조방법
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7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 다공성 전극의 제조방법에 의해 제조된 다공성 전극
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제7항에 있어서,상기 다공성 전극의 표면적은, 100 ㎛2 내지 200 ㎛2인 것인,다공성 전극
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제7항에 있어서,상기 다공성 전극의 표면의 표면 거칠기(root mean square; RMS)는, 40 nm 내지 200 nm인 것인,다공성 전극
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기판;상기 기판의 제1 영역 상에 형성된 제7항의 다공성 전극을 포함하는 음극;상기 기판의 제2 영역 상에 형성된 양극; 및상기 음극 및 상기 양극 사이에 채워지는 전해질;을 포함하는, 전기화학 커패시터
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제10항에 있어서,상기 양극은 탄소소재를 포함하고,상기 전해질은 0
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제10항에 있어서,상기 전기화학 커패시터는, 0
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제10항에 있어서,상기 전기화학 커패시터는, 1 내지 2000의 정전류 충방전 사이클(galvanostatic charge-discharge cycles)에서 98 % 이상의 커패시턴스 유지율을 가지는 것인,전기화학 커패시터
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제10항에 있어서,상기 전기화학 커패시터는 아연-이온 전기화학 커패시터인 것인,전기화학 커패시터
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