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OLED 소자가 형성된 기판에 봉지막을 형성 하는 방법으로서, (a)OLED 소자가 형성된 기판에 박막용 전구체 및 방전 기체 분위기에서 플라즈마 처리하여 봉지막 코팅단계;(b)상기 봉지막 코팅 후 불활성 기체 분위기에서 플라즈마 처리해서 개질 봉지막을 수득하는 단계;를 포함하는 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 저온 및 대기압에서 진행되는 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 OLED 소자 봉지막 제조 방법은 상기 (a) 및 (b) 단계로 2회 이상 반복하는 것인 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 봉지막은 금속산화물 및 금속질화물을 포함하는 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 봉지막은 다층구조를 포함하는 OLED 소자 개질 봉지막 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 방전 기체는 공기, 헬륨, 산소, 질소 및 아르곤을 포함하는 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 불활성 기체는 헬륨, 질소 및 아르곤을 포함하는 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 1 KHz 내지 4 GHz 주파수에서 진행되는 OLED 소자 개질 봉지막 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 OLED 소자 봉지막은 수분 침투율이 10-3 내지 10-7 g/m2/day 인 OLED 소자 개질 봉지막 제조방법
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