맞춤기술찾기

이전대상기술

터널정션을 구비하는 발광 소자 및 그 제조방법, 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2021007331
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 터널정션을 구비하는 발광 소자는, n형 반도체인 하부 전극층; 상기 하부 전극층의 상측에 형성되고 높은 도핑 농도의 p형 반도체가 높은 도핑 농도의 n형 반도체의 상측에 배치되는 터널정션 소자; 상기 터널정션 소자의 상측에 형성되고 n형 반도체가 상측에 배치되는 발광 소자층; 및 상기 발광 소자층의 상측에 형성되며 n형 반도체인 상부 전극층;을 포함하는 터널정션 소자를 가진다.
Int. CL H01L 33/24 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 27/15 (2006.01.01)
CPC H01L 33/24(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 27/156(2013.01)
출원번호/일자 1020190153766 (2019.11.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0064957 (2021.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.26)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정태훈 광주광역시 광산구
2 이상헌 광주광역시 광산구
3 정탁 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 오화섭 광주광역시 광산구
5 정성훈 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-1219968-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0177931-85
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0808634-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0078867-25
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-0079555-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.03.24 수리 (Accepted) 4-1-2021-5095035-96
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2021.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0415608-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체인 하부 전극층;상기 하부 전극층의 상측에 형성되고 높은 도핑 농도의 p형 반도체가 높은 도핑 농도의 n형 반도체의 상측에 배치되는 터널정션 소자;상기 터널정션 소자의 상측에 형성되고 n형 반도체가 상측에 배치되는 발광 소자층; 및상기 발광 소자층의 상측에 형성되며 n형 반도체인 상부 전극층;을 포함하는 터널정션 소자를 가지는 발광 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 하부 전극층은,그 두께가 2㎛ 내지 3㎛인 터널정션을 구비하는 발광 소자
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 하부 전극층의 일부를 노출하기 위하여 상기 하부 전극층의 상위층들을 제거한 하부전극 메사구조를 포함하는 터널정션을 구비하는 발광 소자
4 4
청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 따른 터널정션을 구비하는 발광 소자의 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 제1 단계;상기 기판의 상측에 n형 반도체인 하부 전극층이 형성되는 제2 단계;높은 도핑 농도의 p형 반도체가 높은 도핑 농도의 n형 반도체의 상측에 배치되는 터널정션 소자가 상기 하부 전극층의 상측에 형성되는 제3 단계;n형 반도체가 상측에 배치되는 발광 소자층이 상기 터널정션 소자의 상측에 형성되는 제4 단계;n형 반도체인 상부 전극층이 상기 발광 소자층의 상측에 형성되는 제5 단계;를 포함하고,상기 제2 단계 내지 상기 제5 단계는 인시츄(in-situ)로 수행되는 터널정션을 구비하는 발광 소자 제조 방법
5 5
청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 따른 터널정션을 구비하는 발광 소자가 하나의 기판에 복수개가 형성되는 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자
6 6
청구항 5에 있어서,복수개의 상기 발광소자는,적어도 두 가지 이상의 서로 다른 파장의 빛을 방출하고,상기 기판상에 나란하게 형성되는 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자
7 7
청구항 6에 있어서,복수의 상기 발광소자는,전기적으로 서로 격리되도록, 그 사이의 상기 하부 전극층에 트랜치 상기 기판이 노출되는 트랜치 구조를 포함하는 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자의 제조방법
8 8
청구항 5 내지 청구항 6중 어느 한 항에 따른 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자의 제조방법에 있어서,상기 기판을 준비하는 제10 단계;n형 반도체이고 상기 기판의 상측에 배치되는 하부 전극층과, 높은 도핑 농도의 p형 반도체가 높은 도핑 농도의 n형 반도체의 상측에 배치되어 상기 하부 전극층의 상측에 배치되는 터널정션 소자와, p형 반도체가 n형 반도체 상측에 배치되어 상기 터널정션 소자의 상측에 배치되는 발광 소자층 및, n형 반도체이고 상기 발광 소자층의 상측에 배치되는 상부 전극층으로 구비되는 제1 발광부를 인시츄(in-situ)로 형성하는 제20 단계;상기 하부 전극층의 일부가 노출되도록 상기 하부 전극층의 상위층들을 제거하고, 상기 제1 발광부를 가지는 메사 구조체인 제1 발광소자가 형성되는 제30 단계;상기 제1 발광 소자의 상측에 상기 제1 발광소자를 보호하는 패시베이션(passivation) 층이 형성되는 제40 단계;n형 반도체이고 상기 기판의 상측에 배치되는 또 다른 상기 하부 전극층과, 높은 도핑 농도의 p형 반도체가 높은 도핑 농도의 n형 반도체 상측에 배치되고 상기 또 다른 하부 전극층의 상측에 배치되는 또 다른 상기 터널정션 소자과, n형 반도체가 p형 반도체 상측에 배치되어 또 다른 상기 터널정션 소자의 상측에 배치되는 또 다른 상기 발광 소자층 및, n형 반도체이고 또 다른 상기 발광 소자층의 상측에 배치되는 또 다른 상기 상부 전극층으로 구비되는 제2 발광부를 인시츄(in-situ)로 형성하는 제50 단계;상기 하부 전극층의 일부가 노출되도록 상기 또 다른 하부 전극층 및 그 상위층들을 제거하고, 상기 제2 발광부를 가지는 메사 구조체인 제2 발광소자를 형성하는 제60 단계;모든 상기 하부 전극층 및 모든 상기 상부 전극층 상에 콘택 금속층을 형성하는 제70 단계;를 포함하는 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자의 제조방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 제1 발광소자와 상기 제2 발광소자는,서로 전기적으로 격리되도록, 그 사이의 상기 하부 전극층에 상기 기판이 노출되도록 트랜치 구조를 형성하는 제61 단계;를 더 포함하는 터널정션을 구비하는 발광 소자를 이용한 멀티컬러 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서울바이오시스 주식회사 소재부품기술개발(R&D) 50K nits 이상의 고휘도 초미세 화소용 광원 및 Frontplane 기술 개발