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사파이어 기판 상에 복수의 나노로드 패턴을 형성하여 나노로드 PSS 기판을 준비하는 단계; 및 상기 나노로드 PSS 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 갈륨 금속을 이용하여 450 ~ 550℃의 소스온도 및 470 ~ 550℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 α-Ga2O3 박막을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노로드 PSS 기판 준비 단계는, 상기 사파이어 기판 상에 나노로드 패턴 형성 영역을 덮는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 외측으로 노출된 사파이어 기판을 선택적으로 패터닝하여 상기 나노로드 패턴 형성 영역에 기판의 식각면으로부터 돌출 형성된 상기 복수의 나노로드 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 나노로드 패턴을 덮는 마스크 패턴을 제거하여, 상기 나노로드 PSS 기판을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 식각은 습식 식각 및 건식 식각 중 적어도 하나 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노로드 패턴 각각은 0
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노로드 패턴 각각은 원기둥 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노로드 패턴은 상호 간이 0
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제1항에 있어서,상기 α-Ga2O3 박막 형성 단계에서, 측면성장 방식으로 5 ~ 35분 동안 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 α-Ga2O3 박막 형성 단계에서, 반응 가스로는 O2 및 GaCl을 이용하되, O2 100 ~ 1,000sccm 및 GaCl 1 ~ 50sccm 조건으로 공급하는 것을 특징으로 하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 α-Ga2O3 박막 형성시, 상기 사파이어 기판과 α-Ga2O3 계면에서 발생하는 결함들이 상기 복수의 나노로드 패턴에서 성장되어 측면으로 성장하는 결정에 의해 블록킹되어 표면 결함이 감소하는 것을 특징으로 하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법으로 제조된 고품질 α-Ga2O3 박막
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