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비수계 전해액; 및 상기 비수계 전해액 100 중량부에 대하여, 1 ~ 25 중량부로 첨가된 이온성 액체;를 포함하며, 상기 비수계 전해액은 유기용매; 및 TEABF4(tetraethylammonium tetrafluoroborate) 및 TEMABF4(triethylmethylammonium tetrafluoroborate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전해질 염; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 전해액
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체는 EMITf2N(1-Ethyl-3-methylimidazolium trifluoromethanesulfonylamide), BMITf2N(1-Butyl-3-methylimidazolium trifluoromethanesulfonylamide), EMITFSI(1-Ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide), BMIMBF4(1-Butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), OMIMBF4(1-Methyl-3-octylimidazolium tetrafluoroborate), OMIMTf2N(1-Methyl-3-octylimidazolium trifluoromethanesulfonylamide), MEMPBF4(N-(2-Methoxyethyl)-N-methylpyrrolidinium tetraflioroborate) 및 DEMEBF4(N,N-Diethyl-N-methyl-N-(2-methoxyethyl)ammonium tetraflioroborate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 전해액
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제1항에 있어서,상기 비수계 전해액의 유기용매는 아세토니트릴(acetonitrile), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 카보네이트, 에틸메틸 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 부틸렌 카보네이트, 비닐렌 카보네이트, 테트라히드로푸란, 1,2-디옥산, 2-메틸테트라히드로푸란, 부티로락톤 및 디메틸포름아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 전해액
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제1항에 있어서,상기 슈퍼커패시터의 전해액은 상기 비수계 전해액 100 중량부에 대하여, 0
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제4항에 있어서,상기 첨가제는 VC(Vinylene carbonate), TMSP(Tris(trimethylsilyl)phosphite) 및 TMSI(1-(Trimethylsilyl)imidazole)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 전해액
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양극과 음극이 서로 이격되게 배치되어 있고, 상기 양극과 상기 음극 사이에 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막이 배치되며, 상기 양극 및 음극은 슈퍼커패시터의 전해액에 함침되어 있고, 상기 슈퍼커패시터의 전해액은, 비수계 전해액; 및 상기 비수계 전해액 100 중량부에 대하여, 1 ~ 25 중량부로 첨가된 이온성 액체;를 포함하며, 상기 비수계 전해액은 유기용매; 및 TEABF4(tetraethylammonium tetrafluoroborate) 및 TEMABF4(triethylmethylammonium tetrafluoroborate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전해질 염; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터
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제6항에 있어서,상기 이온성 액체는 EMITf2N(1-Ethyl-3-methylimidazolium trifluoromethanesulfonylamide), BMITf2N(1-Butyl-3-methylimidazolium trifluoromethanesulfonylamide), EMITFSI(1-Ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide), BMIMBF4(1-Butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), OMIMBF4(1-Methyl-3-octylimidazolium tetrafluoroborate), OMIMTf2N(1-Methyl-3-octylimidazolium trifluoromethanesulfonylamide), MEMPBF4(N-(2-Methoxyethyl)-N-methylpyrrolidinium tetraflioroborate) 및 DEMEBF4(N,N-Diethyl-N-methyl-N-(2-methoxyethyl)ammonium tetraflioroborate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터
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8
제6항에 있어서,상기 비수계 전해액의 유기용매는 아세토니트릴(acetonitrile), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 카보네이트, 에틸메틸 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 부틸렌 카보네이트, 비닐렌 카보네이트, 테트라히드로푸란, 1,2-디옥산, 2-메틸테트라히드로푸란, 부티로락톤 및 디메틸포름아미드으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터
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제6항에 있어서,상기 슈퍼커패시터의 전해액은 상기 비수계 전해액 100 중량부에 대하여, 0
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제9항에 있어서,상기 첨가제는 VC(Vinylene carbonate), TMSP(Tris(trimethylsilyl)phosphite) 및 TMSI(1-(Trimethylsilyl)imidazole)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터
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제6항에 있어서,상기 고전압 슈퍼커패시터는 코인형 고전압 슈퍼커패시터 및 권취형 고전압 슈퍼커패시터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터
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(a) 전극활물질, 도전재, 바인더 및 분산매를 혼합하여 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 제조하는 단계; (b) 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 금속 호일에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일 또는 집전체에 붙여서 전극 형태로 형성하는 단계; (c) 상기 전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 슈퍼커패시터 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 슈퍼커패시터 전극을 양극과 음극으로 사용하며, 상기 양극과 음극 사이에 상기 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막을 배치하고, 상기 양극 및 음극을 제1항에 기재된 전해액에 함침시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 전극활물질 100 중량부에 대하여, 도전재 2 ~ 20 중량부, 바인더 2 ~ 20 중량부 및 분산매 200 ~ 300 중량부로 혼합하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 건조는 100℃ ~ 350℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 고전압 슈퍼커패시터의 제조 방법
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