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이온 저장층; 도펀트 물질의 이온 농도에 따라 전도도가 달라지는 활성층; 및 상기 이온 저장층 및 활성층 사이에 구비되어 외부 전계 인가 시 이온이 이동하고 외부 전계가 인가되지 않을 경우 이온의 자가 이동을 억제하고 활성층과 이온 저장층 간 전기적인 쇼트를 방지하는 배리어층;을 포함하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 이온-배리어층은 LiPO, LiPON, LiPOSe, SiO2, TiN 및 TiO2으로 구성된 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 활성층은 도펀트 물질이 함유된 화합물로 형성된 층으로서, 상기 도펀트 물질은 Li, H, Cu, Ag, Na, Mg, Fe, Ni, Ti, Te, O 및 Ca 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하며, 상기 화합물은 산화물, 황화물, 인산염 및 실리케이트로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 이온 저장층은 비정질 실리콘(a-Si), 이산화티타늄(TiO2), 흑연(graphite), 탄소(carbon), 리튬(Li), 산화텅스텐(WO3), 탄소나노튜브(CNT), 산화 몰리브덴 (MoOx), 텅스텐 셀레늄 (WSex) 및 바나듐 옥사이드 (VO2) 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 시냅스 소자를 포함하는 뉴로모픽 시스템
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이온을 저장할 수 있는 이온 저장층을 형성하는 단계; LiPO, LiPON, LiPOSe, SiO2, TiN 및 TiO2으로 구성된 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 이온-배리어층을 형성하는 단계; 및 도펀트 물질의 이온 농도에 따라 전도도가 달라지는 활성층을 형성하는 단계;를 포함하는 시냅스 소자의 제조방법
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