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이온을 저장할 수 있는 이온 저장층; 및 도펀트 물질의 이온 농도에 따라 전도도가 달라지는 활성층;을 포함하고, 상기 활성층은 증착 시 진공도에 의해 다공성이 조절된 층인 전기화학소자
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제1항에 있어서,상기 활성층은 도펀트 물질이 함유된 화합물로 형성된 층으로서, 상기 도펀트 물질은 Li, H, Cu, Ag, Na, Mg, Fe, Ni, Ti, Te, O 및 Ca 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하며, 상기 화합물은 산화물, 황화물, 인산염 및 실리케이트로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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제1항에 있어서,상기 이온 저장층은 비정질 실리콘(a-Si), 이산화티타늄(TiO2), 흑연(graphite), 탄소(carbon), 리튬(Li), 산화텅스텐(WO3), 탄소나노튜브(CNT), 산화 몰리브덴(MoOx), 텅스텐 셀레늄(WSex), 바나듐 옥사이드(VO2) 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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제1항에 있어서,상기 활성층은 증착 시 진공도를 1 내지 100 mTorr 범위 내로 조절하여 다공성을 조절한 층인 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 전기화학소자를 포함하는 에너지 저장장치
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 전기화학소자를 포함하는 메모리 장치
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이온을 저장할 수 있는 이온 저장층을 형성하는 단계; 및 도펀트 물질의 이온 농도에 따라 전도도가 달라지는 활성층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 활성층을 형성하는 단계는 증착방법에 의해 형성되며, 증착 시 진공도에 의해 다공성을 조절하는 단계인 전기화학소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계는 스퍼터링, 펄스 레이저 증착, 화학 기상 증착, 원자층 증착 또는 분자선 에피택시 증착을 이용하여 증착하고, 증착 시 진공도를 1 내지 100 mTorr 범위 내로 조절하는 단계인 것을 특징으로 하는 전기화학소자의 제조방법
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