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유리 기재의 일면 상에 규소 산화물로 이루어진 규소 산화물층을 형성하는, 규소 산화물층 형성 단계; 상기 규소 산화물층을 식각 처리하여, 상기 유리 기재 상에 복수의 규소 산화물 클러스터를 형성시키는, 제1 식각 단계; 및 상기 규소 산화물 클러스터가 형성된 유리 기재를 식각 처리하여, 중공 나노 기둥을 형성시키는, 제2 식각 단계;를 포함하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 식각 단계는 상기 규소 산화물층의 적어도 일부 영역을 규소 산화물을 포함하는 클러스터 입자를 형성시키고, 인접한 적어도 3개의 상기 클러스터 입자는 규소 산화물 클러스터를 형성하는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제2 식각 단계는 상기 규소 산화물 클러스터의 규소 산화물 입자가 식각 마스크로 작용하여, 상기 유리 기재의 표면에 중공 나노 기둥을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 중공 나노 기둥의 높이는 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 중공 나노 기둥의 중공 영역의 직경은 5 ㎚ 이상 100 ㎚ 미만인 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 규소 산화물층은 50 ㎚ 이상 500 ㎚ 미만의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 규소 산화물층은 스퍼터링(sputtering), 플라즈마화학증착(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 전자빔 증착(e-beam evaporation) 및 열증착(thermal evaporation)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 식각 단계 및 상기 제2 식각 단계는 각각 반응성 가스를 이용한 선택적 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 반응성 가스는 CF4, CHF3, C2F6, C2Cl2F4, C3F8, C4F8, SF6 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 식각 단계 및 상기 제2 식각 단계는 각각 플라즈마 식각(plasma etching), 반응 이온 식각(reactive ion etching), 이온밀링법(ion-milling), 및 방전 가공(electro discharge Machining, EDM)으로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 식각 단계 및 상기 제2 식각 단계는 각각 반응성 가스를 이용한 선택적 플라즈마 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 선택적 플라즈마 식각은 플라즈마 가속 전압이 -100 Vb 내지 -1000 Vb 이고, 플라즈마 식각 압력이 1 Pa 이상 10 Pa 이하의 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 식각 단계 및 상기 제2 식각 단계에서의 총 식각 시간은 10초 이상 30분 이하인 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 제조방법
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청구항 1에 따른 제조방법을 이용하여 제조된, 중공 나노 기둥이 구비된 유리
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청구항 14에 있어서, 상기 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 광반사율은 5 % 이하인 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리
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청구항 14에 있어서, 상기 중공 나노 기둥이 구비된 유리의 수접촉각은 10°이하인 것을 특징으로 하는, 중공 나노 기둥이 구비된 유리
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