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텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼 구조체에 있어서,광 흡수율을 향상시키기 위하여 육각 피라미드 패턴으로 텍스쳐링된 복수의 나노구조체를 포함하되,상기 나노구조체는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 주기적으로 배열되며, 육각형의 일면을 둘러싸는 피라미드 형태의 복수의 경사면으로 이루어지되,상기 경사면 중, 적어도 하나 이상의 경사면의 결정 방향은 003c#111003e# 결정 방향으로 형성되어 준 육각(quasi-hexagonal) 피라미드 패턴을 이루는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체
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제1항에 있어서,상기 003c#111003e# 결정 방향인 상기 경사면은 4개 이상 8개 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체
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제1항에 있어서,상기 경사면은 8개이며, 폭이 다른 2종의 경사면으로 이루어지되, 폭이 상대적으로 넓은 경사면을 제1 경사면, 및 폭이 상대적으로 작은 경사면을 제2 경사면이라고 하되,상기 제1 경사면 및 상기 제2 경사면은 각각 4개이며,상기 제2 경사면들은 각각 상기 육각형인 일면 중 일변을 쌍으로 공유하며 서로 대향하며, 상기 제1 경사면들은 상기 제2 경사면들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체
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제3항에 있어서,상기 제1 경사면의 결정 방향은 003c#111003e# 결정 방향인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체
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제1항에 있어서,상기 경사면의 수직방향으로의 깊이는 300nm 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체
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제1항에 있어서,상기 나노구조체들 사이의 간격은 400nm 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체
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실리콘 웨이퍼 구조체를 제조하기 위한 방법에 있어서,(a) 나노입자들을 003c#100003e# 결정 방향을 갖는 상기 실리콘 웨이퍼 상에 분산시켜 나노입자들이 배열된 자기조립 단일층을 형성하는 단계;(b) 상기 분산된 나노입자들 사이에 식각 마스크를 증착하는 단계;(c) 상기 나노입자들을 제거하는 단계; 및(d) 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계를 포함하되,상기 (d) 단계는 광 흡수율을 향상시키기 위하여 육각 피라미드 패턴으로 텍스쳐링된 복수의 나노구조체를 생성하며, 상기 나노구조체가 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 주기적으로 배열되도록 하며, 육각형인 상면을 둘러싸는 피라미드 형태의 복수의 경사면으로 이루어지도록 하되,상기 경사면 중, 적어도 하나 이상의 경사면의 결정 방향을 003c#111003e# 결정 방향으로 형성하여 상기 나노구조체들이 준 육각(quasi-hexagonal) 피라미드 패턴을 이루도록 하는 에칭을 수행하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 003c#111003e# 결정 방향인 상기 경사면은 4개 이상 8개 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 경사면은 8개이며, 폭이 다른 2종의 경사면으로 이루어지되, 폭이 상대적으로 넓은 경사면을 제1 경사면, 및 폭이 상대적으로 작은 경사면을 제2 경사면이라고 하되,상기 제1 경사면 및 상기 제2 경사면은 각각 4개이며,상기 제2 경사면들은 상기 육각형인 상면 중 일변을 쌍으로 공유하며 서로 대향하며, 상기 제1 경사면들은 상기 제2 경사면들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 제1 경사면의 결정 방향은 003c#111003e# 결정 방향인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 경사면의 수직방향으로의 깊이는 300nm 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 나노구조체들 사이의 간격은 400nm 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 에칭은 습식 에칭 용액에 의해 사전에 설정된 특정 시간 동안 비등방성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 에칭이 이루어지는 사전에 설정된 특정 시간은 130초 이상 140초 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 습식 에칭 용액은 11wt% 수산화칼륨 및 5vol% 이소프로필알코올이 혼합된 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 나노입자들을 용매에 혼합시켜 용액을 생성하고 상기 용액을 상기 실리콘 웨이퍼 상에 분산시키는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 (a) 단계와 (b) 단계 사이에상기 용액을 건조시켜 상기 나노입자들 사이로 상기 실리콘 웨이퍼가 노출되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (a)단계는상기 나노입자들이 스핀코팅 공정으로 혼합되며 분산되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (a)단계는상기 나노입자는 구형의 실리카, 폴리스티렌, 또는 폴리메틸 메타크릴레이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼 구조체의 제조 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 실리콘 웨이퍼 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양 전지
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