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실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법에 있어서,(a) 크기가 다른 2종 이상의 나노입자들을 상기 실리콘 웨이퍼 상에 분산시키는 단계;(b) 상기 분산된 나노입자들 사이에 노출된 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계; 및(c) 상기 나노입자들을 제거하는 단계를 포함하되,상기 나노입자들을 분산시키는 단계는 상기 크기가 다른 2종 이상의 나노입자들이 준 무작위(quasi-random)로 배열된 자기조립 단일층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는크기가 다른 2종 이상의 나노입자들을 용매에 혼합시켜 용액을 생성하고, 상기 용액을 상기 실리콘 웨이퍼 상에 분산시키는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에상기 용액을 건조시켜 상기 나노입자들 사이로 상기 실리콘 웨이퍼가 노출되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 나노입자들이 스핀코팅 공정으로 혼합되며 분산되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 나노입자는 직경이 다른 2종의 나노입자로 이루어지되, 직경이 상대적으로 큰 나노입자를 제1 입자, 및 직경이 상대적으로 작은 나노입자를 제2 입자라고 하며,상기 제2 입자의 직경은 상기 제1 입자의 직경의 0
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 나노입자는 구형의 실리카, 폴리스티렌, 또는 폴리메틸 메타크릴레이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 제1 입자의 직경은 300nm 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 (a) 단계는제1 입자에 대한 상기 제2 입자의 농도비는 나노입자들이 분산된 후 인접하는 상기 제1 입자들 사이의 최인접 배위수가 5 이상 6 미만이 되도록 하는 무게비로 사전에 정해지는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법에 있어서,크기가 다른 2종 이상의 나노입자들을 상기 실리콘 웨이퍼 상에 분산시키는 단계;상기 분산된 나노입자들 사이에 식각 마스크를 증착하는 단계;상기 나노입자들을 제거하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계를 포함하되,상기 나노입자들을 분산시키는 단계는 상기 크기가 다른 2종 이상의 나노입자들이 준 무작위로 배열된 자기조립 단일층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하는 방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는, 실리콘 웨이퍼
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제10항의 실리콘 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양 전지
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