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센싱 장치 제조 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2021007476
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 장치 제조 방법은, 제1 구조 패턴이 형성된 패턴형성 구조 상에 고분자 기판을 이동시키는 단계; 상기 고분자 기판 상에 도포된 고분자 물질이 상기 패턴형성 구조의 제1 구조 패턴에 대응되는 제2 구조 패턴이 형성되도록 상기 패턴형성 구조를 상기 고분자 기판의 이송 방향과 수직인 방향으로 가압하는 단계; 상기 제2 구조 패턴이 형성된 고분자 기판에 전도성 물질을 도포하는 단계; 및 상기 전도성 물질의 일 면에 전극을 부착하는 단계를 포함한다.
Int. CL A61B 5/024 (2006.01.01) A61B 5/00 (2021.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01)
CPC A61B 5/02427(2013.01) A61B 5/683(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) A61B 2562/12(2013.01)
출원번호/일자 1020190155000 (2019.11.28)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0066129 (2021.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준식 경기도 군포시 고산로***번길 *
2 황태호 경기도 용인시 수지구
3 박현문 경기도 군포시 금산로 ** 래미안하이어스 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1226941-65
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0390785-86
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 구조 패턴이 형성된 패턴형성 구조 상에 고분자 기판을 이동시키는 단계;상기 고분자 기판 상에 도포된 고분자 물질이 상기 패턴형성 구조의 제1 구조 패턴에 대응되는 제2 구조 패턴이 형성되도록 상기 패턴형성 구조를 상기 고분자 기판의 이송 방향과 수직인 방향으로 가압하는 단계;상기 제2 구조 패턴이 형성된 고분자 기판에 전도성 물질을 도포하는 단계; 및상기 전도성 물질의 일 면에 전극을 부착하는 단계를 포함하는 센싱 장치 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 패턴형성 구조를 상기 고분자 기판의 이송 방향과 수직인 방향으로 가압하며, 초음파 및 열을 가하는 단계를 더 포함하는 센싱 장치 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 고분자 기판에 가해지는 초음파의 주파수는 상기 고분자 물질의 공진주파수를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 장치 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 패턴형성 구조는 회전체 형태로 형성되어, 롤투롤 방식으로 상기 고분자 기판에 상기 제2 구조 패턴을 형성하며 연속적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 센싱 장치 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 패턴형성 구조는 미모사 잎을 표면에 부착하여 상기 제1 구조 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 센싱 장치 제조 방법
6 6
소정의 간격을 두고 서로 반대방향으로 회전하여 고분자 기판을 연속적으로 이동시키는 제1 회전체 및 제2 회전체; 및상기 제1 회전체 및 제2 회전체 사이를 이동하는 고분자 기판에 초음파 및 열을 가하는 초음파 및 열 제공부를 포함하고,상기 제1 회전체 또는 제2 회전체 중 어느 하나의 회전체의 표면은 제1 구조 패턴으로 형성되어, 상기 고분자 기판이 이동하면서 상기 고분자 기판 상에 도포된 고분자 물질에 상기 제1 구조 패턴에 대응되는 제2 구조 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 센싱 장치 제조 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 초음파 및 열 제공부에서 가해지는 초음파의 주파수는 상기 고분자 물질의 공진주파수를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 장치 제조 장치
8 8
제6항에 있어서,상기 제2 구조 패턴이 형성된 고분자 기판에 전도성 물질을 도포하는 전도성 물질 도포부; 및상기 전도성 물질의 일 면에 전극을 부착하는 전극 부착부를 더 포함하는 센싱 장치 제조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원통상부 ㈜싸이닉솔루션 미래성장동력사업 복합센서 기반 초저전력 웨어러블 부품디바이스 핵심 기술개발